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FBH to show latest diode lasers and UV LEDs at Laser World of Photonics
/media-center/medienschau/fbh-to-show-latest-diode-lasers-and-uv-leds-at-laser-world-of-photonics
Ferdinand-Braun-Institut (FBH), based in Berlin, will present novel developments and advances of its diode lasers and UV LEDs at the Laser World of Photonics trade show (Munich from June 26 – 29,…
Flyer_GaN_Microwave_web.pdf
/fileadmin/downloads/Publications/Flyer/Flyer_GaN_Microwave_web.pdf
GaN Microwave & Power Switching Devices Competence in GaN Device Design & Technology The FBH develops and fabricates GaN-based electronic devices for microwave power amplifiers and fast highpower…
Extrem vielseitig – FBH bietet maßgeschneiderte Diodenlaser vom Chip bis zum System
/media-center/presseinformationen/extrem-vielseitig-fbh-bietet-massgeschneiderte-diodenlaser-vom-chip-bis-zum-system
Das FBH präsentiert auf der "Laser World of Photonics" und der begleitenden "CLEO Europe" seine Leistungsfähigkeit bei Diodenlasern und UV-Leuchtdioden, die gezielt auf die jeweilige Anwendung…
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
/termine/workshop-on-compound-semiconductor-devices-and-integrated-circuits
Das FBH auf der WOCSDICE 2017
The Future on Stage - Spitzenforschung aus Berlin
/termine/the-future-on-stage-spitzenforschung-aus-berlin
25 Jahre nach seiner Gründung schreibt der Forschungsverbund Berlin eine besondere Erfolgsgeschichte.
Dissertationspreis Adlershof für Dr. Neysha Lobo Ploch und Dr. Jan-Ferenc Kischkat
/media-center/medienschau/dissertationspreis-adlershof-fuer-dr-neysha-lobo-ploch-und-dr-jan-ferenc-kischkat
Der Preis ging erstmalig in der 14-jährigen Geschichte der Auszeichnung an zwei Preisträger.
Advances in Physical Simulation of Transferred Substrate InP/InGaAs DHBT
/forschung/forschungsnews/advances-in-physical-simulation-of-transferred-substrate-inpingaas-dhbt
Device modeling is crucial for circuit design, thus improving device design and fabrication process. Recent advances in physical device modeling of our in-house transferred substrate InP/InGaAs…
Flexible GaN Chips für die drahtlose Infrastruktur der Zukunft
/forschung/forschungsnews/flexible-gan-chips-fuer-die-drahtlose-infrastruktur-der-zukunft
Das FBH hat beim IEEE International Microwave Symposium 2015 in Phoenix einen neuartigen 4-stufigen Voltage-Mode (VM) Schaltverstärkerchip auf GaN-Basis vorgestellt. Dieser kompakte, hoch flexible…
frequent_08-2017_online.pdf
/fileadmin/downloads/Publications/frequent/frequent_08-2017_online.pdf
frequent Next-Generation Wireless Communications Making the Infrastructure Hardware Ready for 5G W Towards the digital base station transmitter W Boosting energy efficiency for wideband systems W …
Laser World of Photonics und CLEO Europe 2017
/termine/laser-world-of-photonics-und-cleo-europe-2017
Besuchen Sie uns auf der Laser World of Photonics. Vom 26.-29.06.2017 finden Sie uns am Berlin-Brandenburger Gemeinschaftsstand in Halle B2, Stand 350.