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Suchergebnisse 3741 bis 3750 von 5278

Industrietauglicher Diodenlaser

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Auf der Messe mciro photonics hat das Ferdinand-Braun-Institut Weiter- und Neuentwicklungen seiner Diodenlaser und UV-Leuchtdioden präsentiert.

Diodenlaser auf bestem Weg

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Innerhalb des europäischen Projekts BRIDLE entwickelte, leistungsfähige und energieeffiziente Diodenlaser für Industrieanwendungen weisen mehrere Bestwerte auf.

First portable SERDS-Raman spectrometer is field-tested at an apple orchard

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Researchers from Ferdinand Braun Institute (Berlin, Germany) have successfully demonstrated a portable shifted excitation Raman difference spectroscopy (SERDS) system in a Swiss apple orchard.

Brillante Diodenlaser auf Rekordkurs

/media-center/medienschau/brillante-diodenlaser-auf-rekordkurs-1

Dr. Paul Crump vom Ferdinand-Braun-Institut erläutert die Vorteile hochbrillanter Diodenlaser

Pflanzenschutzmittel

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Sie haben wahre Wunderkräfte. Zumindest weisen Studien darauf hin, dass Obst und Gemüse den Blutdruck senken, Thrombosen vorbeugen, Krebs hemmen.

Chorafas-Preis an Neysha Lobo Ploch verliehen

/termine/chorafas-preis-an-neysha-lobo-ploch-verliehen

Für ihre Dissertation "Chip designs for high efficiency III-nitride based ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction" wurde Frau Dr. Neysha Lobo Ploch kürzlich mit dem…

Quantitative Bestimmung von Matrix- und Verunreinigungs-Elementen in AlGaN mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS)

/forschung/forschungsnews/quantitative-bestimmung-von-matrix-und-verunreinigungs-elementen-in-algan-mittels-sekundaerionen-massenspektrometrie-sims

Das Materialsystem Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) wird zunehmend attraktiv für UV-basierte optoelektronische Bauelemente wie lichtemittierende Dioden (LED), Laserdioden und Fotodetektoren. Die…

Diode laser based deep ultraviolet Raman excitation

/forschung/forschungsnews/diode-laser-based-deep-ultraviolet-raman-excitation

One of the biggest challenges in Raman spectroscopy is to avoid or minimize the typically strong fluorescence background that can, in some cases, even mask the relatively weak Raman signal.

Highly Efficient High-Power G-band Frequency Multiplier in Transferred-Substrate InP DHBT Technology

/forschung/forschungsnews/highly-efficient-high-power-g-band-frequency-multiplier-in-transferred-substrate-inp-dhbt-technology

The frequency range between 100 GHz and 1 THz offers large bandwidth for high-speed communications as well as improved spatial resolution for radar sensors and imaging systems due to the short…

Wafer-level hetero-integrated InP DHBT/SiGe BiCMOS technology for mm-wave and sub-THz applications

/forschung/forschungsnews/wafer-level-hetero-integrated-inp-dhbtsige-bicmos-technology-for-mm-wave-and-sub-thz-applications

The mm-wave and sub-THz region from 100 to beyond 500 GHz holds many promises for emerging applications such as ultra-wideband wireless communications, high-resolution radar, spectroscopic sensing...