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Publikationen
/forschung/publikationen/reliability-considerations-of-iii-nitride-microelectronic-devices
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/forschung/publikationen/comparison-of-n-face-and-ga-face-algangan-based-high-electron-mobility-transistors
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/forschung/publikationen/two-dimensional-electron-gases-induced-by-spontaneous-and-piezoelectric-polarization-charges-in-n-and-ga-face-algangan-heterostructures
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/forschung/publikationen/algangan-hfets-with-new-ohmic-and-schottky-contacts-for-thermal-stability-up-to-400c
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/forschung/publikationen/transparent-conductive-zn0al-films-by-reactive-co-sputtering-from-separate-metallic-zn-and-al-targets
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/forschung/publikationen/free-carrier-plasma-resonance-effects-and-electron-transport-in-reactively-sputtered-degenerate-znoal-films
Improved Theory of the Refractive-Index Change in Quantum-Well Lasers
/forschung/publikationen/improved-theory-of-the-refractive-index-change-in-quantum-well-lasers
An improved theory of the change of the real part of the dielectric function in quantum-well lasers is presented. New formulas for the intraband component are given, which allow for the first time to…
Publikationen
/forschung/publikationen/wavelength-angle-selectivity-of-an-angled-grating-in-a-fabry-perot-resonator-alpha-laser
High-Power Tensile-Strained GaAsP-AlGaAs Quantum-Well Lasers Emitting between 715 and 790 nm
/forschung/publikationen/high-power-tensile-strained-gaasp-algaas-quantum-well-lasers-emitting-between-715-and-790-nm
Tensile-strained GaAsP quantum wells embedded in AlGaAs large optical cavity structures were studied. In the wavelength range between 715 and 790 nm, very high output power and excellent conversion…
High-power and high temperature long-term stability of Al-free 950 nm laser structures on GaAs
/forschung/publikationen/high-power-and-high-temperature-long-term-stability-of-al-free-950-nm-laser-structures-on-gaas
Al-free InGaAs/InGaAsP/InGaP broad area lasers emitting at 950nm show low degradation rates below 6x10-5/h, under conditions of 1.5W emission power per 100 µm stripe width at 50°C and…