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Semipolare GaN-LEDs auf strukturierten 4 Zoll Saphir-Substraten (ALIGHT)
/media-center/medienschau/semipolare-gan-leds-auf-strukturierten-4-zoll-saphir-substraten-alight
Frank BrunnerFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Microelectronics Technology, Circuits, and Systems for Space Applications Workshop
/termine/microelectronics-technology-circuits-and-systems-for-space-applications-workshop
Auf dem Sabanci University Microelectronics Workshop ist das FBH mit einem eingeladenen Vortrag vertreten.
Nonlinear generation in dispersion engineered silicon nitride waveguides and resonators
/forschung/forschungsnews/nonlinear-generation-in-dispersion-engineered-silicon-nitride-waveguides-and-resonators
Dr. Jose Chavez BoggioLeibniz-Institut für Astrophysik Potsdam (AIP)
Licht Made in Berlin: Optische Spitzentechnologien
/media-center/medienschau/licht-made-in-berlin-optische-spitzentechnologien
Egal, ob Sie telefonieren, Fernsehen gucken oder ihr Knie operieren lassen: Ohne die optischen Technologien würde nichts von alledem funktionieren. Ein Teil dieser Spitzentechnologie kommt aus…
Adlershof: Die kleine Stadt der Super-Hirne
/media-center/medienschau/adlershof-die-kleine-stadt-der-super-hirne
Adlershof ist Berlins Hightech-Standort. Hier arbeiten 16000 hochqualifizierte Menschen. B.Z. stellt sechs Produkte zum Staunen vor.
Diodenlaserbarren mit 2 kW Ausgangsleistung für Hochleistungs-Laseranwendungen
/media-center/presseinformationen/diodenlaserbarren-mit-2-kw-ausgangsleistung-fuer-hochleistungs-laseranwendungen
Das FBH hat auf der CLEO 2015 aktuelle Ergebnisse seines Projekts CryoLaser vorgestellt. Erstmalig wurden mindestens 2 Kilowatt (kW) optische Ausgangsleistung eines einzelnen Laserbarrens mit…
Thermische Charakterisierung von AlGaN/GaN-HEMTs auf Si- und n-SiC-Substraten
/forschung/forschungsnews/thermische-charakterisierung-von-algangan-hemts-auf-si-und-n-sic-substraten
Die Kanaltemperatur ist entscheidend bei der Bewertung der Zuverlässigkeit und der Schaltverluste von AlGaN/GaN-Transistoren. Mittels gepulster elekrischer Messungen wurden in Kooperation mit der TU…
RF front-ends for mm-wave and THz applications in InP and InP-on-BiCMOS Technologies
/termine/rf-front-ends-for-mm-wave-and-thz-applications-in-inp-and-inp-on-bicmos-technologies
Maruf HossainFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Besuchen Sie das FBH zur Langen Nacht der Wissenschaften
/termine/besuchen-sie-das-fbh-zur-langen-nacht-der-wissenschaften
Mit vielen spannenden Führungen und Mitmachexperimenten für Groß und Klein.
Schnell und effizient schalten – dank HiPoSwitch
/media-center/medienschau/schnell-und-effizient-schalten-dank-hiposwitch-1
Im EU-Verbundprojekt Hi Po Switch ist es gelungen, effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter zu entwickeln. Sie sind die Basis für energiesparende, kompakte und leichte…