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In MINT-Berufe hineinschnuppern
/media-center/medienschau/in-mint-berufe-hineinschnuppern
Erste "Ausbildungs-Allianz-Adlershof" war gut besucht.
Info zu Berufsperspektiven in Hochtechnologien
/termine/info-zu-berufsperspektiven-in-hochtechnologien
Das Ausbildungsnetzwerk Hochtechnologie auf dem Ausbildungstag Süd-Ost
International Microwave Symposium 2017
/termine/international-microwave-symposium-2017
Das FBH ist mit mehreren Beiträgen und einem Workshop vertreten.
OpTecBB Summer School "Photonic Integration"
/termine/optecbb-summer-school-photonic-integration
Am 26.09.2017 zu Gast am FBH
Bundesforschungsministerium stärkt Mikroelektronikforschung in Berlin-Brandenburg
/forschung/forschungsnews/bundesforschungsministerium-staerkt-mikroelektronikforschung-in-berlin-brandenburg
Das Bundesforschungsministerium investiert 117,2 Millionen Euro in die Mikroelektronikforschung in Berlin und Brandenburg. Die geförderten Forschungseinrichtungen sind Teil der "Forschungsfabrik…
Deutsche Quantentechnologie - Initiative QUTEGA startet mit optischer Einzelionenuhr
/media-center/presseinformationen/deutsche-quantentechnologie-initiative-qutega-startet-mit-optischer-einzelionenuhr
Informationen der Projektpartner - darunter das FBH - zum Start des BMBF-geförderten Pilotprojektes "Optische Einzelionenuhr für Anwender (optIclock)".
400 mW and 16.5% wavelength conversion efficiency at 488 nm using a diode laser and a PPLN crystal in single pass configuration
/forschung/publikationen/400nbspmw-and-165-wavelength-conversion-efficiency-at-488nbspnm-using-a-diode-laser-and-a-ppln-crystal-in-single-pass-configuration
Continuous wave power of more than 400 mW at 488 nm has been generated by frequency doubling of 2.45W at 976 nm obtained from a distributed Bragg reflector tapered diode laser. This…
12W high-brightness single-frequency DBR tapered diode laser
/forschung/publikationen/12w-high-brightness-single-frequency-dbr-tapered-diode-laser
A distributed Bragg reflector (DBR) tapered diode laser with a record optical output power of 12 W and a conversion efficiency of about 44% is presented. The device has a sixth-order surface…
Conductively Cooled 637-nm InGaP Broad-Area Lasers and Laser Bars With Conversion Efficiencies Up to 37% and a Small Vertical Far Field of 30°
/forschung/publikationen/conductively-cooled-637-nm-ingap-broad-area-lasers-and-laser-bars-with-conversion-efficiencies-up-to-37-and-a-small-vertical-far-field-of-30
Highly efficient operation of 637-nm broad-area (BA) laser diodes and laser bars with a small vertical far field of 30° (full-width at half-maximum) is reported. The laser structure consists of an…