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Analytical description of UV-LED degradation allows to predict device lifetime
/forschung/forschungsnews/analytical-description-of-uv-led-degradation-allows-to-predict-device-lifetime
FBH has investigated current induced degradation processes of deep UV LEDs. The derived acceleration factors point to the importance of optimizing the charge carrier distribution to improve the…
Defekte im Fokus
/media-center/medienschau/defekte-im-fokus-1
Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin
FBH präsentiert auf der „European Microwave Week“ (EuMW) leistungsstarke effiziente Neuheiten
/media-center/medienschau/fbh-praesentiert-auf-der-european-microwave-week-eumw-leistungsstarke-effiziente-neuheiten
Lösungen für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und biomedizinische Systeme sowie für den Einsatz im Weltraum
FBH presenting III-V electronics portfolio at European Microwave Week
/media-center/medienschau/fbh-presenting-iii-v-electronics-portfolio-at-european-microwave-week
In a joint booth (B2200) with ‘Research Fab Microelectronics Germany’ (FMD) at European Microwave Week (EuMW 2019) in Porte de Versailles Paris, France (1-3 October), Berlin-based…
FBH reports 1.8kV-breakdown gallium oxide MOSFET with record power figure of merit
/media-center/medienschau/fbh-reports-18kv-breakdown-gallium-oxide-mosfet-with-record-power-figure-of-merit
The Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) of Berlin, Germany has developed gallium oxide (ß-Ga2O3) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)…
Leistung effizient erzeugen – bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen und mit kurzen Schaltzeiten
/media-center/medienschau/leistung-effizient-erzeugen-bei-hohen-frequenzen-hohen-spannungen-und-mit-kurzen-schaltzeiten-1
Das FBH präsentiert auf der „European Microwave Week“ (EuMW) sein Leistungsspektrum in der III/V-Elektronik: Komponenten für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und…
Energy-efficient power electronics - gallium oxide power transistors with record values
/media-center/medienschau/energy-efficient-power-electronics-gallium-oxide-power-transistors-with-record-values-1
(Nanowerk News) Powerful electronic components are indispensable for future communications, for the digital transformation of society and for artificial intelligence applications.
FBH reports gallium oxide power transistors with record values
/media-center/medienschau/fbh-reports-gallium-oxide-power-transistors-with-record-values
The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) has achieved a breakthrough with transistors based on gallium oxide (beta-Ga2O3). The newly developed beta-Ga2O3-MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect…
FBH To Exhibit III-V Portfolio At EuMW
/media-center/medienschau/fbh-to-exhibit-iii-v-portfolio-at-eumw
At European Microwave Week (Paris, September 29 to October 4, 2019), Ferdinand-Braun-Institut (FBH) will present its portfolio of III-V electronics for the digitisation of mobile communications, for…
Leistung effizient erzeugen – bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen und mit kurzen Schaltzeiten
/media-center/presseinformationen/leistung-effizient-erzeugen-bei-hohen-frequenzen-hohen-spannungen-und-mit-kurzen-schaltzeiten
Das FBH präsentiert auf der "European Microwave Week" (EuMW) sein Leistungsspektrum in der III/V-Elektronik: Komponenten für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und…