Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
High energy ion beams as a powerful tool for the analysis of the elemental composition of thin layers
/termine/high-energy-ion-beams-as-a-powerful-tool-for-the-analysis-of-the-elemental-composition-of-thin-layers
High energy ion beams as a powerful tool for the analysis of the elemental composition of thin layers Dr. Frans MunnikHelmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e.V.
Ein Lasersystem für Experimente mit Quantengasen unter Schwerelosigkeit
/termine/ein-lasersystem-fuer-experimente-mit-quantengasen-unter-schwerelosigkeit
Ein Lasersystem für Experimente mit Quantengasen unter Schwerelosigkeit Max SchiemangkFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Bester Mikrotechnologie-Azubi in Berlin kommt aus dem Ferdinand-Braun-Institut
/media-center/presseinformationen/bester-mikrotechnologie-azubi-in-berlin-kommt-aus-dem-ferdinand-braun-institut
Dominik Sudau wurde am 15. November 2019 von der IHK Berlin als bester Auszubildender der Mikrotechnologie in Berlin ausgezeichnet.
Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben
/media-center/medienschau/galliumoxid-fuer-vertikale-leistungshalbleiter-vorantreiben
Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, das Ferdinand-Braun-Institut, die Universität Bremen sowie die…
High-power lasers with buried implantation for current confinement
/forschung/forschungsnews/high-power-lasers-with-buried-implantation-for-current-confinement
The FBH has fabricated broad area lasers using a 2-step epitaxial growth process with an intermediate implantation of ions outside of the active laser stripe. The second growth step removes the…
European Project Aims to Develop Beta-Gallium Oxide Power Devices
/media-center/medienschau/european-project-aims-to-develop-beta-gallium-oxide-power-devices
The recently launched joint project "ForMikro-GoNext" is studying the feasibility of developing commercial beta-gallium oxide (β-Ga2O3) power semiconductors.
Leuchtdioden für das Ultraviolette - Entwicklungsstand und Anwendungen
/termine/leuchtdioden-fuer-das-ultraviolette-entwicklungsstand-und-anwendungen
Berliner Industriegespräch - aus der Arbeit des Konsortiums "Advanced UV for Life"
Is beta-gallium oxide the future of semiconductors?
/media-center/medienschau/is-beta-gallium-oxide-the-future-of-semiconductors
Researchers have demonstrated beta-gallium oxide offers the potential to increase power converter efficiency.
Halbleitermaterial Beta-Galliumoxid bietet beste Voraussetzungen für die Leistungselektronik der nächsten Generation
/media-center/presseinformationen/halbleitermaterial-beta-galliumoxid-bietet-beste-voraussetzungen-fuer-die-leistungselektronik-der-naechsten-generation
Das kürzlich gestartete Verbundprojekt "ForMikro-GoNext" untersucht das Halbleitermaterial Beta-Galliumoxid (β-Ga2O3) in einer neuen vertikalen Bauelementarchitektur.
Beta-Galliumoxid fordert SiC und GaN heraus
/media-center/medienschau/beta-galliumoxid-fordert-sic-und-gan-heraus
Mit 1,8 kV Durchbruchsspannung und der Leistungsdichte von 155 MW/cm2 erreicht der Galliumoxid-Leistungstransistor des Ferdinand-Braun-Instituts (FBH) beinahe die theoretischen…