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Innovative Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
/media-center/medienschau/innovative-materialien-und-bauelemente-fuer-die-terahertz-elektronik-2
Achtes Joint Lab am Ferdinand-Braun-Institut gestartet
Neue Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
/media-center/medienschau/neue-materialien-und-bauelemente-fuer-die-terahertz-elektronik
Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin und die Universität Duisburg-Essen (UDE) intensivieren ihre Zusammenarbeit auf dem Gebiet der…
Entwicklungen für die übernächste Mobilfunk-Generation
/media-center/medienschau/entwicklungen-fuer-die-uebernaechste-mobilfunk-generation
Während die industrielle Umsetzung des 5G-Mobilfunk-Standards in der Industrie noch gar nicht begonnen hat, gibt es bereits konkrete Überlegungen und Entwicklungen für die nächste der…
Raman spectroscopic investigations on soil using a 785 nm dual-wavelength diode laser
/forschung/forschungsnews/raman-spectroscopic-investigations-on-soil-using-a-785-nm-dual-wavelength-diode-laser
Precision agriculture is becoming increasingly important. The FBH evaluates the potential of Raman spectroscopy. The non-destructive optical method can be used to characterize soil, thus paving the…
Innovative Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
/media-center/medienschau/innovative-materialien-und-bauelemente-fuer-die-terahertz-elektronik-1
Achtes Joint Lab am Ferdinand-Braun-Institut gestartet
Materialien und Bauelemente für THz-Anwendungen
/media-center/medienschau/materialien-und-bauelemente-fuer-thz-anwendungen
Das FBH in Berlin und die Universität Duisburg-Essen intensivieren ihre Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Höchstfrequenz-Halbleiterforschung.
MOVPE von polaren (0001) und nicht-polaren (11-20) GaN-Schichten auf strukturierten Saphir-Substraten
/forschung/forschungsnews/movpe-von-polaren-0001-und-nicht-polaren-11-20-gan-schichten-auf-strukturierten-saphir-substraten
Bei der Epitaxie GaN-basierter Halbleiterstrukturen auf strukturierten Saphir-Substraten muss sowohl die Anzahl von Versetzungen verringert als auch die Schichtverspannung infolge der Fehlanpassung…
Neue Klasse von THz MMICs – Prozess am FBH etabliert
/forschung/forschungsnews/neue-klasse-von-thz-mmics-prozess-am-fbh-etabliert
Das FBH hat in Zusammenarbeit mit dem IHP einen InP-basierten Prozess mit Betriebsfrequenzen bis zum 250 GHz-Bereich entwickelt, der auf voll prozessierten BiCMOS Wafern betrieben werden kann.…
Filamentierung und Strahlinhomogenität bei GaN-Breitstreifenlasern
/forschung/forschungsnews/filamentierung-und-strahlinhomogenitaet-bei-gan-breitstreifenlasern
Am FBH wurde das Phänomen der Filamentierung an blauen Laserdioden untersucht. Die Ergebnisse erlauben ein tieferes Verständnis der Wechselwirkungen von Inhomogenitäten der emittierenden…
Joint Lab für Höchstfrequenz-Halbleiter gegründet
/media-center/medienschau/joint-lab-fuer-hoechstfrequenz-halbleiter-gegruendet
Wissenschaftler der Universität Duisburg-Essen und dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, in Berlin arbeiten zusammen um ICs für Höchstfrequenzen zu entwickeln.