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From IDays to IDeas – die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland stellt ihre neuesten Technologieinnovationen vor
/media-center/presseinformationen/from-idays-to-ideas-die-forschungsfabrik-mikroelektronik-deutschland-stellt-ihre-neuesten-technologieinnovationen-vor
Unsere Zukunft selbst mitgestalten und die Mikroelektronik von übermorgen in Deutschland und Europa entwickeln – mit diesem Ziel vor Augen trafen sich Technologieexpertinnen und -experten,…
Defekte im Fokus
/media-center/presseinformationen/defekte-im-fokus
Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin
Lateral β-Ga2O3 MOSFET for power switching applications with a breakdown voltage of 1.8 kV
/forschung/forschungsnews/lateral-b-ga2o3-mosfet-for-power-switching-applications-with-a-breakdown-voltage-of-18-kv
FBH and IKZ worked on the fabrication of lateral β-Ga2O3-based power transistors with enhanced device performance through combining optimized layer growth and improved process technology.
Forschungsschub für das Quanteninternet
/media-center/medienschau/forschungsschub-fuer-das-quanteninternet
Dr. Tim Schröder, Wissenschaftler am Institut für Physik der HU Berlin und am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), hat einen ERC Starting Grant eingeworben und…
European Microwave Week 2019
/termine/european-microwave-week-2019
Besuchen Sie uns auf der EuMW auf der Konferenz sowie am Gemeinschaftsstand der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland.
Lidar-Demonstrator: PC-steuerbare Pulslaserquelle
/media-center/medienschau/lidar-demonstrator-pc-steuerbare-pulslaserquelle
Ein PC-steuerbarer Live-Demonstrator für gepulste Laserquellen erzeugt Pulse im Bereich von 200 ps bis 20 ns.
Gallium oxide power transistors said to achieve record values
/media-center/medienschau/gallium-oxide-power-transistors-said-to-achieve-record-values
Researchers from Germany’s Ferdinand-Braun-Institut (FBH) have made a breakthrough in their development of transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3), achieving high breakdown voltage combined with…
Manufacturing Bits: Modeling SiC defects; gallium oxide MOSFETs; AIN lab
/media-center/medienschau/manufacturing-bits-modeling-sic-defects-gallium-oxide-mosfets-ain-lab
The Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut has developed what the research organization says are gallium oxide power transistors with record values.
Auf dem Weg zum Quanteninternet
/media-center/medienschau/auf-dem-weg-zum-quanteninternet
Der Physiker Dr. Tim Schröder wirbt ERC Starting Grant ein
Flyer_RF_web.pdf
/fileadmin/downloads/Publications/Flyer/Flyer_RF_web.pdf
RF, Microwaves & Millimeter Waves Comprehensive Know-how in Microwaves & mm Waves The FBH is a center of competence for III-V microwave and millimeter-wave devices and circuits covering the…