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Flyer_InP_HBT_web.pdf
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InP HBT Technology for Terahertz Applications Entire Value Chain for Terahertz Electronics FBH develops electronic components for terahertz (THz) applications such as high-resolution radar,…
Ferdinand-Braun-Institut Researchers Create Gallium Oxide Power Transistors with Record Values
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The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) recently announced a breakthrough with transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3).
Auf dem Weg zum Quanteninternet - der Physiker Dr. Tim Schröder wirbt ERC Starting Grant ein
/media-center/presseinformationen/auf-dem-weg-zum-quanteninternet-der-physiker-dr-tim-schroeder-wirbt-erc-starting-grant-ein
Dr. Tim Schröder, Wissenschaftler am Institut für Physik der Humboldt-Universität zu Berlin (HU) und am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), hat einen ERC…
Feldeffekttransistor mit Rekordwerten
/media-center/medienschau/feldeffekttransistor-mit-rekordwerten
Leistungstransistor aus Galliumoxid wartet mit sehr hohen Durchbruchspannungen und niedrigen Widerständen auf.
Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²
/media-center/medienschau/galliumoxid-mosfet-bewaeltigt-155-mwcm2
Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei 1,8 kV Durchbruchsspannung eine Leistungsdichte von 155 MW/cm² erreicht. Die Durchbruchfeldstärke liegt bei…
Galliumoxid-Leistungstransistor mit Rekordwerten entwickelt
/media-center/medienschau/galliumoxid-leistungstransistor-mit-rekordwerten-entwickelt
Das Ferdinand-Braun-Institut hat ß-Ga2O3-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Durchbruchspannung von 1,8 kV und einer Leistung von 155 MW pro cm2 entwickelt. Die…
Gallium oxide power transistors achieve record values
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Researchers at the Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (Berlin) have developed a novel type of MOSFETs based on gallium oxide (ß-Ga2O3), with breakthrough characteristics.
Gallium oxide power transistors with record values
/media-center/medienschau/gallium-oxide-power-transistors-with-record-values
The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) has announced that it has achieved a breakthrough with transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3)
FBH Achieves Gallium Oxide Breakthrough
/media-center/medienschau/fbh-achieves-gallium-oxide-breakthrough
Scientists at the Ferdinand-Braun-Institut (FBH) have achieved what they believe is a breakthrough for transistors based on the ultra wideband semiconductor gallium oxide. They published their…
Energy-efficient power electronics: Gallium oxide power transistors with record values
/media-center/medienschau/energy-efficient-power-electronics-gallium-oxide-power-transistors-with-record-values
Engineers have now achieved a breakthrough with transistors based on gallium oxide (beta-Ga2O3). The newly developed beta-Ga2O3-MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) provide a…