Konferenz / Ausstellung: 29.09.-04.10 / 1.-3.10.2019 Paris, FR

European Microwave Week 2019

Das FBH ist an mehreren Beiträgen auf der Konferenz beteiligt:

  • A GaN-HEMT with Floating LF Ground for Reverse Operation in Integrated RF Power Circuits
  • A 300 GHz Active Frequency Tripler in Transferred-Substrate InP DHBT Technology
  • A 0.5 THz Signal Source with -11 dBm Peak Output Power Based on InP DHBT
  • GaN Digital Outphasing PA (Co-Chair der Session Outphasing and Doherty Power Amplifiers:  A. Wentzel)
  • Packaged Floating-Ground RF Power GaN-HEMT (Chair der Session Supply Modulated Power Amplifiers: O. Bengtsson)

Auf der begleitenden Ausstellung  finden Sie uns am Gemeinschaftsstand B2200 ‑ Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Konferenz Webseite