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Energieeffizienz durch Mikrosystemtechnik - Jetzt anmelden und weiterbilden!
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Die 6. ZEMI Summerschool zeigt die Potenziale der Mikrosystemtechnik für die Energieerzeugung, -verteilung und -nutzung anhand konkreter Anwendungen. Interessierte können sich bis zum 19.08.2011…
MNE 2011 in Berlin
/termine/mne-2011-in-berlin
Branchentreff der Prozesstechnologie - 37. Internationale Konferenz Micro and Nano Engineering.
Miniaturisierte Diodenlaser mit externem Resonator, die bei 633 nm emittieren – ideale Quellen für die absolute Abstandsinterferometrie und Atomspektroskopie
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Für interferometrische Messung und die Atomspektroskopie wurde am FBH ein mikrointegrierter durchstimmbarer Diodenlaser im externen Resonator (ECDL) mit einem reflektierenden Volumen-Bragg-Gitter…
GaN-HFETs mit hohen Strömen und hoher Durchbruchspannung mit Si-dotierter AlGaN-Barriere unter dem Kanal
/forschung/forschungsnews/gan-hfets-mit-hohen-stroemen-und-hoher-durchbruchspannung-mit-si-dotierter-algan-barriere-unter-dem-kanal
Mit einer dünnen n-dotierten AlGaN-Schicht unter dem Kanal konnten FBH-Wissenschaftler das Verhältnis von Einschaltwiderstand zu Durchbruchspannung bei GaN-HFETs deutlich verbessern.
Rauchiger Sommer
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Wowereit auf Wahlkampftour in Berlin - u.a. auch im Technologiepark Adlershof.
Nach Geldern forschen
/media-center/medienschau/nach-geldern-forschen
Die Regionen bekommen Jahr für Jahr Milliarden aus den Fördertöpfen der EU. Auch Berlin kämpft in Brüssel um Mittel - mit dabei war auch Günther Tränkle, der als Vorstandsvorsitzender das…
OpTecBB begrüßt sein 100. Mitglied
/media-center/presseinformationen/optecbb-begruesst-sein-100-mitglied
Mit dem renommierten Technologieunternehmen First Sensor AG begrüßt OpTecBB sein 100. Mitglied. Das Kompetenznetz Optische Technologien ist zugleich das mitgliederstärkste Netzwerk für…
AlN-Schichten mit geringer Defektdichte für UV-Leuchtdioden
/forschung/forschungsnews/aln-schichten-mit-geringer-defektdichte-fuer-uv-leuchtdioden
Dem FBH ist es gelungen, durch laterales Überwachsen von strukturierten AlN-Schichten die Versetzungsdichte im AlN um mehr als eine Größenordnung zu reduzieren. Damit können Schichten mit einer…
Neuer THz On-Wafer-Messplatz erlaubt Messungen von Frequenzen bis 500 GHz
/forschung/forschungsnews/neuer-thz-on-wafer-messplatz-erlaubt-messungen-von-frequenzen-bis-500-ghz
Das FBH hat ein neues halbautomatisches System zur On-Wafer-Charakterisierung für 500-GHz-Messungen beschafft. Das Messgerät bietet damit beste Voraussetzungen für die On-Wafer-Charakterisierung im…
Wide band gap semiconductors
/termine/wide-band-gap-semiconductors
Wide band gap semiconductors Prof. Dr. Guoyi ZhangPeking University, Beijing, China 15.07.2011 (in Englisch)