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Sandwich approach could meet future processing requirements
/media-center/medienschau/sandwich-approach-could-meet-future-processing-requirements
Researchers from Ferdinand-Braun-Institut (FBH) and IHP–Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt have integrated InP and cmos circuits on a silicon wafer. The development is…
Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien
/media-center/presseinformationen/sandwich-chips-das-beste-aus-zwei-technologien
Zwei Leibniz-Institute, das FBH und das IHP, haben technologisches Neuland betreten und ihre – bislang getrennten – Technologiewelten erfolgreich verbunden. Die im HiTeK-Projekt entwickelten…
Neue Ausgründung am FBH: Dünne Schichten bei Atmosphärendruck abscheiden
/forschung/forschungsnews/neue-ausgruendung-am-fbh-duenne-schichten-bei-atmosphaerendruck-abscheiden
In zahlreichen Produkten wie Mobiltelefonen, Brillen oder Flachbildschirmen finden sich dünne Schichten, die durch Kathodenzerstäubung hergestellt werden. Dafür sind bislang große und aufwändige…
"Ohne ehrgeizige Ziele schaffen wir nichts"
/media-center/medienschau/ohne-ehrgeizige-ziele-schaffen-wir-nichts
Interview mit Günter Stück (Präsident BBAW) zu Berliner Potenzialen. Er äußert sich darin u.a. zur erfolgreichen Kooperation zwischen Wissenschaft und Wirtschaft (Ferdinand-Braun-Institut - Jenoptik…
Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications
/termine/epitaxial-growth-of-alingan-heterostructures-on-semipolar-gan-for-light-emitter-applications
Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications Simon PlochTU Berlin 14.12.2012 (in Englisch)
Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen
/termine/optische-freiraumuebertragung-innerhalb-von-gebaeuden-fuer-mobile-anwendungen
Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen Prof. Dr.-Ing. Andreas CzylwikUniversität Duisburg-Essen 07.12.2012
Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs
/termine/technology-characterization-and-simulation-of-inalngan-hemts
Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs Dr. Vassil Palankovski / Dr. Jan KuzmikTU Wien / Slovak Academy of Sciences 30.11.2012 (in Englisch)
FBH auf der Photonics West
/termine/fbh-auf-der-photonics-west-3
Das Ferdinand-Braun-Institut ist auf der weltweit führenden Fachmesse mit zahlreichen Vorträgen und Veröffentlichungen vertreten.
3-dimensionale Integration von SiGe-BiCMOS und InP-HBT-Technologie
/forschung/forschungsnews/3-dimensionale-integration-von-sige-bicmos-und-inp-hbt-technologie
Aktuelle Ergebnisse der im "HiTeK"-Projekt hergestellten Höchstfrequenzschaltkreise auf der Basis von InP-HBTs belegen die Leistungsfähigkeit der entwickelten Technologieplattform für…
Schnelles und effizientes Schalten mit GaN-Leistungstransistoren
/forschung/forschungsnews/schnelles-und-effizientes-schalten-mit-gan-leistungstransistoren
Das FBH entwickelt selbstsperrende, auf der p-GaN Gate-Technologie basierende GaN-Transistoren. Mit 150 mm Gateweite wurden Schalttransistoren realisiert, die bei 300 V Sperrfähigkeit einen…