Suche
Regeln für die Suche
- Nur Wörter mit 2 oder mehr Zeichen werden akzeptiert
- Maximal 200 Zeichen insgesamt
- Leerzeichen werden zur Trennung von Worten verwendet, "" kann für die Suche nach ganzen Zeichenfolgen benutzt werden (keine Indexsuche)
- UND, ODER und NICHT sind Suchoperatoren, die den standardmäßigen Operator überschreiben. +/|/- entspricht UND, ODER und NICHT als Operatoren
- Alle Suchwörter werden zu Kleinschreibung konvertiert
Neue Ausgründung am FBH: Dünne Schichten bei Atmosphärendruck abscheiden
/forschung/forschungsnews/neue-ausgruendung-am-fbh-duenne-schichten-bei-atmosphaerendruck-abscheiden
In zahlreichen Produkten wie Mobiltelefonen, Brillen oder Flachbildschirmen finden sich dünne Schichten, die durch Kathodenzerstäubung hergestellt werden. Dafür sind bislang große und aufwändige…
"Ohne ehrgeizige Ziele schaffen wir nichts"
/media-center/medienschau/ohne-ehrgeizige-ziele-schaffen-wir-nichts
Interview mit Günter Stück (Präsident BBAW) zu Berliner Potenzialen. Er äußert sich darin u.a. zur erfolgreichen Kooperation zwischen Wissenschaft und Wirtschaft (Ferdinand-Braun-Institut - Jenoptik…
Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications
/termine/epitaxial-growth-of-alingan-heterostructures-on-semipolar-gan-for-light-emitter-applications
Epitaxial growth of (Al)InGaN heterostructures on semipolar GaN for light emitter applications Simon PlochTU Berlin 14.12.2012 (in Englisch)
Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen
/termine/optische-freiraumuebertragung-innerhalb-von-gebaeuden-fuer-mobile-anwendungen
Optische Freiraumübertragung innerhalb von Gebäuden für mobile Anwendungen Prof. Dr.-Ing. Andreas CzylwikUniversität Duisburg-Essen 07.12.2012
Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs
/termine/technology-characterization-and-simulation-of-inalngan-hemts
Technology, Characterization, and Simulation of InAlN/GaN HEMTs Dr. Vassil Palankovski / Dr. Jan KuzmikTU Wien / Slovak Academy of Sciences 30.11.2012 (in Englisch)
FBH auf der Photonics West
/termine/fbh-auf-der-photonics-west-3
Das Ferdinand-Braun-Institut ist auf der weltweit führenden Fachmesse mit zahlreichen Vorträgen und Veröffentlichungen vertreten.
3-dimensionale Integration von SiGe-BiCMOS und InP-HBT-Technologie
/forschung/forschungsnews/3-dimensionale-integration-von-sige-bicmos-und-inp-hbt-technologie
Aktuelle Ergebnisse der im "HiTeK"-Projekt hergestellten Höchstfrequenzschaltkreise auf der Basis von InP-HBTs belegen die Leistungsfähigkeit der entwickelten Technologieplattform für…
Schnelles und effizientes Schalten mit GaN-Leistungstransistoren
/forschung/forschungsnews/schnelles-und-effizientes-schalten-mit-gan-leistungstransistoren
Das FBH entwickelt selbstsperrende, auf der p-GaN Gate-Technologie basierende GaN-Transistoren. Mit 150 mm Gateweite wurden Schalttransistoren realisiert, die bei 300 V Sperrfähigkeit einen…
III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern
/termine/iii-v-halbleiter-nanodraehte-fuer-den-einsatz-in-effizienten-solarzellen-und-lichtemittern
III-V-Halbleiter-Nanodrähte für den Einsatz in effizienten Solarzellen und Lichtemittern Prof. Franz-Josef TegudeUniversität Duisburg-Essen 23.11.2012
Clustersprecher Tränkle: "2013 sind wir so weit"
/media-center/medienschau/clustersprecher-traenkle-2013-sind-wir-so-weit
Interview mit dem Clustersprecher "Optik und Mikrosystemtechnik" und Direktor des FBH Günther Tränkle.