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Präzision im Miniaturformat: Neue Diodenlaser-Module für die Raman-Analytik und Quantensensoren im Weltraum
/media-center/presseinformationen/praezision-im-miniaturformat-neue-diodenlaser-module-fuer-die-raman-analytik-und-quantensensoren-im-weltraum
Anlässlich der Fachmesse Laser Optics präsentiert das FBH vom 18.-20. März ausgewählte Lasermodule, darunter einen Diodenlaser für die Raman-Spektroskopie, der alternierend Licht auf zwei…
III-N Wide-Bandgap NPN Heterojunction Bipolar Transistors and PIN Avalanche Photodiodes
/media-center/medienschau/iii-n-wide-bandgap-npn-heterojunction-bipolar-transistors-and-pin-avalanche-photodiodes
Prof. Russell DupuisGeorgia Institute of Technology (USA)
Klein aber oho
/termine/klein-aber-oho-2
Wir zeigen euch die Welt der reiskorngroßen Laser und Miniverstärker...
Laser Devices at Turin Technology Centre
/termine/laser-devices-at-turin-technology-centre
Pietro delle Casa Avago Technologies, Turin Technology Centre, Italien
GoPhoton! Brings Photonics to the Masses
/media-center/medienschau/gophoton-brings-photonics-to-the-masses
While photonics enables so many aspects of our daily lives, it remains an unknown science for many. A new outreach project intends to change that and make photonics a household word.
Abscheidung von Ga2O3-Schichten mittels MOVPE
/termine/abscheidung-von-ga2o3-schichten-mittels-movpe
Dr. Günter WagnerLeibniz-Institut für Kristallzüchtung, Berlin
Ergebnispräsentation: Mikroresonatoren mit höchster optischer Güte
/termine/ergebnispraesentation-mikroresonatoren-mit-hoechster-optischer-guete
FBH und HU Berlin stellen die Ergebnisse des gemeinsam bearbeiteten Projektes AdMiRe (Advanced Micro-Resonators) vor.
FBH auf der GeMiC 2014
/termine/fbh-auf-der-gemic-2014
Das FBH präsentiert neue Arbeiten auf der German Microwave Conference.
Kompakte elektro-optische Module für portable quantenoptische Sensoren
/termine/kompakte-elektro-optische-module-fuer-portable-quantenoptische-sensoren
Christian KürbisFerdinand-Braun-Institut, Berlin
Addressing the weakness of GaN transistors
/media-center/medienschau/addressing-the-weakness-of-gan-transistors
Researchers reveal how to slash dynamic resistance, minimise interface traps and identify the origin of current collapse.