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Photonic local oscillators for radio-astronomy in the terahertz range
/forschung/forschungsnews/photonic-local-oscillators-for-radio-astronomy-in-the-terahertz-range
Photonic local oscillators for radio-astronomy in the terahertz range Iván Cámara MayorgaMax-Planck-Institut für Radioastronomie, Bonn
FBH-Publikation unter den Top Downloads bei HPL
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Die Publikation "High duty cycle, highly efficient fiber coupled 940-nm pump module for high-energy solid-state lasers" gehört zu den Top Downloads bei HPL (Januar - September) und kann dort frei…
GaN Low-Noise Amplifiers
/media-center/medienschau/gan-low-noise-amplifiers
GaN Low-Noise Amplifiers Cristina AndreiBTU Cottbus | Joint Lab BTU-CS – FBH Microwave
GaN HEMT Modeling with Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
/forschung/forschungsnews/gan-hemt-modeling-with-chalmers-model-and-pulsed-s-parameter-measurements
GaN HEMT Modeling with Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements Peng LuoBTU Cottbus | Joint Lab BTU-CS – FBH Microwave
Novel diodes and UV-LEDs presented at Berlin expo
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Berlin’s Ferdinand-Braun-Institut (FBH) has this week presented novel developments and advances of its diode lasers and UV LEDs at the city’s Micro Photonics congress and expo that closes today.
Ungestörte Signale
/media-center/presseinformationen/ungestoerte-signale
In seinem fünften Joint Lab bündelt das FBH seine Kompetenzen bei rauscharmen Verstärkern und bei der Transistormodellierung mit der BTU Cottbus-Senftenberg
New method for in-depth characterization of GaAs-based electro-optic phase modulators
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Chip-based modulators provide the means to micro-integrate phase control and modulation into hybrid laser and spectroscopy modules in a very compact and robust way. We have developed and successfully…
High temperature operation test stability of Ka-band transistors with different Al content in AlGaN layer
/forschung/forschungsnews/high-temperature-operation-test-stability-of-ka-band-transistors-with-different-al-content-in-algan-layer
To optimize the AlGaN/GaN epitaxial structure for short channel transistors, epitaxial stacks with varying Al content of the AlGaN layer were investigated by utilizing FBH's Ka-band GaN process line.
FBH introduces diode lasers & UV LED developments at micro photonics expo
/media-center/medienschau/fbh-introduces-diode-lasers-uv-led-developments-at-micro-photonics-expo
At the micro photonics 2016 International Congress & Expo in Berlin, Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut (FBH) is presenting novel developments of its diode lasers and UV light-emitting diodes…
Berlin ist Forschungsstandort für UV-LEDs
/media-center/medienschau/berlin-ist-forschungsstandort-fuer-uv-leds
Unter dem Namen »Advanced UV for Life« arbeiten aktuell 37 Partner aus Forschung und Industrie an der Weiterentwicklung der UV-LED-Technik.