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/forschung/forschungsnews/the-floating-ground-transistor-a-key-enabler-for-reverse-type-envelope-tracking-systems-for-space-applications-and-5g

The packaged floating-ground RF power GaN-HEMT is a novel patented invention developed by FBH. It allows straightforward floating-ground RF PA designs, but also opens a whole new field of GaN based…

/forschung/forschungsnews/entwicklung-von-gan-basierten-laserdioden-fuer-den-nahen-uv-bereich

Entwicklung von GaN-basierten Laserdioden für den nahen UV-Bereich Am FBH werden kantenemittierende GaN-Laserdioden für den nahen ultravioletten Spektralbereich entwickelt. Basierend auf cw-fähigen…

/forschung/forschungsnews/balancierter-20-w-gan-leistungsverstaerker-fuer-das-x-band

Balancierter 20 W GaN-Leistungsverstärker für das X-Band Leistungsverstärker stellen eine entscheidende Komponente für alle Kommunikations-, Radar- und Satellitensysteme dar. Am FBH werden…

/forschung/forschungsnews/kompakte-diodenlasermodule-mit-single-mode-faserausgang-im-multi-watt-leistungsbereich

Kompakte Diodenlasermodule mit Single-Mode-Faserausgang im Multi-Watt-Leistungsbereich Im Rahmen des Verbundprojekts "FaBriDi" entwickelt das Ferdinand-Braun-Institut (FBH) fasergekoppelte…

/forschung/forschungsnews/temperatur-induzierte-degradation-von-inalgan-basierten-uv-b-leds

Temperatur induzierte Degradation von (InAlGa)N-basierten UV-B-LEDs (InAlGa)N-basierte Leuchtdioden (LEDs), die Strahlung im UV-B-Spektralbereich (280 – 320 nm) emittieren, sind eine…

/forschung/forschungsnews/rot-emittierender-master-oszillator-power-amplifier-fuer-holographie

Rot-emittierender Master-Oszillator Power-Amplifier für Holographie Für dreidimensionale Hologramme benötigt man Laser, die sichtbares kohärentes Lichts liefern. Dafür reichten bislang die…

/forschung/forschungsnews/strukturierung-von-100-mm-saphir-substraten-zur-erzeugung-von-semipolaren-11-22-gan-templates

Strukturierung von 100 mm Saphir-Substraten zur Erzeugung von semipolaren (11-22) GaN-Templates Am FBH wurde ein Verfahren - eine Kombination fotolithografischer und plasmaätztechnischer Prozesse -…

/forschung/forschungsnews/in-richtung-ka-band-20-ghz-von-gan-hemts-in-150-nm-gate-technologie

In Richtung Ka-Band: 20 GHz von GaN-HEMTs in 150 nm Gate-Technologie Satellitenverbindungen mit hohen Datenraten erfordern schnelle Transceiver im K- und Ka-Band. Im Rahmen des europäischen…

/forschung/forschungsnews/handheld-raman-optode-mit-integriertem-zwei-wellenlaengen-diodenlaser-bei-785-nm-fuer-in-situ-serds

Handheld Raman-Optode mit integriertem Zwei-Wellenlängen-Diodenlaser bei 785 nm für in-situ SERDS Die Raman-Spektroskopie ist eine leistungsstarke optische Messmethode zur Stoffanalyse…

/forschung/forschungsnews/algan-basierte-msm-uv-fotodetektoren-mit-hoher-quantenausbeute-bei-0-v

AlGaN-basierte MSM UV-Fotodetektoren mit hoher Quantenausbeute bei 0 V Das AlxGa1-xN-Materialsystem ist attraktiv für die Detektion ultravioletter (UV) Strahlung. Am FBH wurden nun anhand eines…