Humboldt-Preisträger Prof. Russell Dupuis zu Gast am FBH

Für seine wegweisenden Arbeiten im Bereich der Materialforschung, insbesondere der Epitaxie von III/V-Halbleiternanostrukturen, erhielt Prof. Russell Dupuis den Humboldt-Forschungspreis. Dieser ist mit einem Forschungsaufenthalt an der Technischen Universität Berlin und am Ferdinand-Braun-Institut verbunden. Prof. Dupuis ist einer der Pioniere der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) und war der Erste dem es gelang, III/V-Solarzellen und Laserdioden mittels MOVPE zu realisieren. Heute wird diese Technologie weltweit bei der Herstellung von LEDs, High-Speed-Komponenten in optischen Kommunikationssystemen und Solarzellen eingesetzt. Prof. Dupuis hat den renommierten Steve W. Chaddick Lehrstuhl der School of Electrical and Computer Engineering am Georgia Institute of Technology, Atlanta (USA) inne, und leitet dort das Center for Compound Semiconductors. Er wird noch bis zum Juli am FBH und an der TU Berlin forschen. Ein zweiter Forschungsaufenthalt ist 2015 geplant.

Ziel der gemeinsamen Forschungsarbeiten ist es, ultraviolette Laserdioden basierend auf AlGaN-Quantenfilmen zu entwickeln sowie das MOVPE-Wachstum von GaN-Quantenpunktstrukturen zu untersuchen. UV-Laserdioden werden u. a. in der Sensorik, beim Rapid Prototyping (z.B. 3D-Printing) und in der Medizintechnik (z.B. Durchflusszytometrie, Fluoreszenzspektroskopie) angewendet. GaN-Quantenpunktstrukturen sind die Grundlage zur Realisierung von Einzelphotonemittern, die für die sichere Datenübertragung mittels Quantenkryptographie benötigt werden.

Im Rahmen der FBH-Institutskolloqien hält Prof. Russell Dupuis am 28.03.2014 einen Vortrag: “III-N Wide-Bandgap NPN Heterojunction Bipolar Transistors and PIN Avalanche Photodiodes”.

FBH-Nachricht: 18.03.2014