Joint Lab GaN Optoelectronics

Das Joint Lab GaN Optoelectronics befasst sich mit der Entwicklung innovativer Lichtemitter auf der Basis von Gruppe-III-Nitriden. Die Forschungsarbeiten finden in enger Kooperation mit der TU Berlin im Rahmen des Joint Labs statt. Das Materialsystem AlN-GaN-InN deckt einen außerordentlich großen Wellenlängenbereich ab, der sich vom fernen Ultraviolett (UV) über den ganzen sichtbaren Spektralbereich bis ins nahe Infrarot erstreckt. Dies eröffnet zahlreiche neue Anwendungsfelder. Das FBH beschäftigt sich dabei insbesondere mit der Realisierung von Diodenlasern für den blau-violetten Spektralbereich und Leuchtdioden (LEDs) im nahen und fernen UV. Die Aktivitäten beinhalten die Simulation von Bauelementen, deren Design, die Epitaxie von InAlGaN-Heterostrukturen, die Fabrikation der Bauelementechips sowie deren Montage und Charakterisierung.

  • Wafer mit UV-LEDs
    [+] 2"-Wafer mit UV-LEDs
  • RW-Laserdiode
    [+] Rippenwellenleiterlaserdiode mit Emission um 440 nm
  • UVB-LED
    [+] UVB LED auf TO-Halter
  • UV-LED
    [+] UV-LED Modul

Das FBH greift auf etablierte Basistechnologien im Bereich der III-V-Verbindungshalbleiter zurück. Hauptziel der gegenwärtigen Forschungs- und Entwicklungsarbeiten ist es, diese Technologien so weiterzuentwickeln, dass Diodenlaser und UV-LEDs für neue Anwendungen maßgeschneidert werden können. Zu diesen Applikationen zählen bei den GaN-Diodenlasern die Atomspektroskopie oder die Bioanalytik. Die UV-LEDs zielen vor allem auf die Wasserdesinfektion, die Medizintechnik und die Gassensorik im tiefen UV-C-Bereich.