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Progress and Challenges of Vertical GaN Trench MOSFETs on GaN Substrates

FBH-Institutskolloquium: 04.07.2025

Mikrofon vor unscharfem Hintergrund, neben dem Text "FBH seminar". Das Bild vermittelt den Eindruck einer Präsentation oder eines Vortrags.

In diesem Institutskolloquium präsentieren Wissenschaftler*innen neueste Forschungsergebnisse zu folgendem Thema:

  • Progress and Challenges of Vertical GaN Trench MOSFETs on GaN Substrates
  • Prof. Dr. Tohru Oka, Nagoya University, Japan

Die Veranstaltung findet am 04.07.2025 von 11:00 bis 12:00 Uhr im Ferdinand-Braun-Institut, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Seminarraum 1 + 2 statt. 

Herzlich willkommen!