European Microwave Week 2019
Das FBH ist an mehreren Beiträgen auf der Konferenz beteiligt:
- A GaN-HEMT with Floating LF Ground for Reverse Operation in Integrated RF Power Circuits
- A 300 GHz Active Frequency Tripler in Transferred-Substrate InP DHBT Technology
- A 0.5 THz Signal Source with -11 dBm Peak Output Power Based on InP DHBT
- GaN Digital Outphasing PA (Co-Chair der Session Outphasing and Doherty Power Amplifiers: A. Wentzel)
- Packaged Floating-Ground RF Power GaN-HEMT (Chair der Session Supply Modulated Power Amplifiers: O. Bengtsson)
Auf der begleitenden Ausstellung finden Sie uns am Gemeinschaftsstand B2200 ‑ Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Konferenz Webseite