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Defekte im Fokus
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Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin
FBH präsentiert auf der „European Microwave Week“ (EuMW) leistungsstarke effiziente Neuheiten
/media-center/medienschau/fbh-praesentiert-auf-der-european-microwave-week-eumw-leistungsstarke-effiziente-neuheiten
Lösungen für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und biomedizinische Systeme sowie für den Einsatz im Weltraum
FBH presenting III-V electronics portfolio at European Microwave Week
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In a joint booth (B2200) with ‘Research Fab Microelectronics Germany’ (FMD) at European Microwave Week (EuMW 2019) in Porte de Versailles Paris, France (1-3 October), Berlin-based…
FBH reports 1.8kV-breakdown gallium oxide MOSFET with record power figure of merit
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The Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) of Berlin, Germany has developed gallium oxide (ß-Ga2O3) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)…
Leistung effizient erzeugen – bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen und mit kurzen Schaltzeiten
/media-center/medienschau/leistung-effizient-erzeugen-bei-hohen-frequenzen-hohen-spannungen-und-mit-kurzen-schaltzeiten-1
Das FBH präsentiert auf der „European Microwave Week“ (EuMW) sein Leistungsspektrum in der III/V-Elektronik: Komponenten für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und…
Energy-efficient power electronics - gallium oxide power transistors with record values
/media-center/medienschau/energy-efficient-power-electronics-gallium-oxide-power-transistors-with-record-values-1
(Nanowerk News) Powerful electronic components are indispensable for future communications, for the digital transformation of society and for artificial intelligence applications.
FBH reports gallium oxide power transistors with record values
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The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) has achieved a breakthrough with transistors based on gallium oxide (beta-Ga2O3). The newly developed beta-Ga2O3-MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect…
FBH To Exhibit III-V Portfolio At EuMW
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At European Microwave Week (Paris, September 29 to October 4, 2019), Ferdinand-Braun-Institut (FBH) will present its portfolio of III-V electronics for the digitisation of mobile communications, for…
Leistung effizient erzeugen – bei hohen Frequenzen, hohen Spannungen und mit kurzen Schaltzeiten
/media-center/presseinformationen/leistung-effizient-erzeugen-bei-hohen-frequenzen-hohen-spannungen-und-mit-kurzen-schaltzeiten
Das FBH präsentiert auf der "European Microwave Week" (EuMW) sein Leistungsspektrum in der III/V-Elektronik: Komponenten für die Digitalisierung in der mobilen Kommunikation, für industrielle und…
From IDays to IDeas – die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland stellt ihre neuesten Technologieinnovationen vor
/media-center/presseinformationen/from-idays-to-ideas-die-forschungsfabrik-mikroelektronik-deutschland-stellt-ihre-neuesten-technologieinnovationen-vor
Unsere Zukunft selbst mitgestalten und die Mikroelektronik von übermorgen in Deutschland und Europa entwickeln – mit diesem Ziel vor Augen trafen sich Technologieexpertinnen und -experten,…