Quelle: Pro Physik, 19.11.2019

Neues Material für die Leistungselektronik der Zukunft

Im Rahmen des kürzlich gestarteten Verbund­projekts ForMikro-GoNext des Leibniz-Instituts für Kristall­züchtung, des Ferdinand-Braun-Instituts, des Leibniz-Institut für Höchst­frequenz­technik, der Uni Bremen sowie der Industrie­partner ABB Power Grids Switzer­land und Aixtron unter­suchen Forscher das Halb­leiter­material Beta-Gallium­oxid in einer neuen vertikalen Bauelement­architektur, um dessen heraus­ragende Eigen­schaften für Transis­toren noch besser nutzen zu können.
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