Preis für das beste Poster der CS MANTECH Konferenz geht an Ina Ostermay
Am 22. Mai 2025 wurde das Poster von Dr. Ina Ostermay und weiteren Co-Autor*innen aus dem FBH (N. Thiele, A. Koyucuoglu, P. Paul, A. Bassal, A. Thies, F. Brunner und O. Krüger) im Rahmen der CS MANTECH in New Orleans (USA) mit dem Best Poster Award ausgezeichnet. Das Poster beschäftigt sich mit einer typischen Herausforderung bei der Aktivierung von Dotanden bei Galliumnitrid (GaN). Im konkreten Beispiel wurde Silizium verwendet, das Temperaturen über 1250 °C erfordert – GaN jedoch zersetzt sich bei Temperaturen oberhalb von 850 °C. Daher haben die FBH-Wissenschaftler*innen zu einem „Trick“ gegriffen, sogenannten Cap-Schichten, die die GaN-Oberfläche durch eine Schutzschicht vor der Zersetzung bewahren.
Wir haben demonstriert, dass eine Kombination von Siliziumnitrid (abgeschieden bei hohen Temperaturen von 600 °C) als Cap-Schicht mit einer darauf folgenden Aluminiumoxid (Al2O3)-ALD Schicht für diesen Zweck funktioniert. Die Schichtdicke dieser Doppelschicht beträgt lediglich 20 nm und kann nach dem Ausheilen (Annealing) nasschemisch entfernt werden. Dadurch lassen sich die Schichten gut in den Prozess integrieren. Mit Annealing-Temperaturen von 1400 °C haben wir sehr geringe Schichtwiderstände < 200 Ohm/sq demonstriert ohne dass sich GaN zersetzt.
