Editor's Pick bei IEEE Electron Device Letters

Der Artikel „Optimization of Vertical GaN Drift Region Layers for Avalanche and Punch-Through pn-Diodes” von Enrico Brussatera et. al. ist als Editor’s Pick erschienen. In diese Publikation sind die Ergebnisse der Arbeiten an vertikalen GaN pn-Dioden bis 900 V Durchbruchspannung eingeflossen. Deren GaN-Driftzonenschicht mit kontrolliert niedriger n-Dotierung ist Voraussetzung, um vertikale 1200 V GaN-Transistoren zu realisieren.