Bauteile aus GaN - Sicht auf die Halbleitertechnologie
O. Hilt, E. Bahat-Treidel, R. Zhytnytska, P. Kotara, and J. Würfl
Published in:
ETG-Fachbericht 128, "Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen", pp. 47-56 (2011).
Abstract:
Seit etwa 8 Jahren wird über Entwicklungen von GaN-Schalttransistoren und GaN-Schottkydioden berichtet, die für leitungselektronische Anwendungen geeignet sein können. Seit 2 Jahren erfährt das Gebiet der GaN- Leistungselektronik durch die Markteinführung von GaN-basierten Schaltern von International Rectifier und EPC erhöhte Aufmerksamkeit und ihr Marktpotential wird intensiv diskutiert. In diesem Beitrag werden die eingesetzten GaN-Halbleitertechnologien vorgestellt und die damit erzielten Leistungsmerkmale präsentiert. Jeweilige Stärken und Schwächen werden diskutiert. Wegen ihres Marktpotentials wird lateralen Bauelementen auf Siliziumsubstraten besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Vertikale GaN-Transistoren werden wegen der noch sehr hohen Substratkosten nur am Rande erwähnt.
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, Germany
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