Materialtechnologie

Als Kompetenzzentrum für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellen wir ultradünne Halbleiter-Schichtstrukturen mit exakt definierten Eigenschaften her. Wir verwenden die Materialsysteme (Al,Ga)As, (Al,Ga,In)P, (Ga,In)(As,P) und (Al,Ga,In)N sowie geeignete Dotierungen. Damit stellen wir die gewünschten Leitfähigkeiten, Brechungsindex- und Bandlückenprofile sowie Absorptions- und Emissionseigenschaften im UV-, sichtbaren und nahen Infrarotbereich ein. Die Schichtstrukturen können anschließend zu elektronischen und optoelektronischen Bauelementen weiterverarbeitet werden.

Die Entwicklung und Optimierung von Bauelementen überwachen wir durch eine Vielzahl optischer, elektrischer und struktureller Analytikmethoden. Damit analysieren wir auch Degradations- und Ausfallursachen von Bauelementen.