RF Power Lab

Der Schwerpunkt des RF Power Labs liegt bei Anwendungen mit Leistungen im Bereich von 10…200 W im Mikrowellenbereich unterhalb 12 GHz. Die meisten Projekte arbeiten mit gehäusten GaN-HEMT-Transistoren des FBH mit 0,5 µm Gate-Länge. Für die integrierten Leistungsverstärkerdesigns bis zum X-Band wird die 0,25 µm GaN-MMIC-Technologie des FBH genutzt. 

Ein Teil der Projekte konzentriert sich auf neuartige Konzepte zur Effizienzsteigerung in breitbandig modulierten Leistungsverstärkersystemen für moderne Telekommunikationssignale mit hohem Verhältnis von Spitzenleistung zu mittlerer Leistung (engl. peak-to-average power ratio, PAPR). Eine vielversprechende Technologie ist die Versorgungsspannungsmodulation, d.h. die Variation der Versorgungsspannung des Leistungsverstärkers mit der momentanen Amplitude der Einhüllenden des modulierten Signals. Eine weitere Variante ist die Lastmodulation, d.h. die Variation der Lastimpedanz des Leistungsverstärkers mit der Einhüllenden des Signals. Beide Systemtypen werden im RF Power Lab untersucht. 

Darüber hinaus forschen wir an generellen Fragestellungen der HF-GaN-Leistungs-Transistor-Technologie am FBH. Im Fokus stehen Masterarbeiten und die Zusammenarbeit zwischen Firmen und dem RF Power Lab.