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150mm buffer-free GaN-on-SiC HEMT epitaxial wafers for microwave and power device

FBH-Institutskoloquium: 22.01.2021 (via GoToMeeting)

Jr-Tai Chen, Ph.D.
SweGaN AB, Schweden

Haben Sie Interesse an diesem Vortrag und benötigen die Zugangsdaten, senden Sie gern eine E-Mail an: events(at)fbh-berlin.de