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Beta-Galliumoxid fordert SiC und GaN heraus

Quelle: Elektronik Praxis, 30.10.2019

Mit 1,8 kV Durchbruchsspannung und der Leistungsdichte von 155 MW/cm2 erreicht der Galliumoxid-Leistungstransistor des Ferdinand-Braun-Instituts (FBH) beinahe die theoretischen Materialgrenzen.
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