Best Paper Award: ESREF 2012
Die Publikation von A. Zanandrea, E. Bahat-Treidel, F. Rampazzo, A. Stocco, M. Meneghini, E. Zanoni, O. Hilt, P. Ivo, J. Wuerfl, G. Meneghesso, "Single and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switiching applications" wurde mit dem "Best Paper Award 2012" der ESREF-Konferenz 2012 ausgezeichnet. Die Autoren stammen von der University of Padova, dem Ferdinand-Braun-Institut und vom Italian Universities Nano-Electronics Team.
FBH-Nachricht: 10.10.2012