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Publikationen

Konferenzbeiträge - bei Terminen
Eine Reihe von Hochformatbroschüren ist aufrecht angeordnet. Die Cover zeigen Titel und Informationen zu verschiedenen Themen.

Dissertationen
Collage aus mehreren Patentschriften aus verschiedenen Ländern, darunter Deutschland, die USA und Japan. Es werden Informationen wie Aktenzeichen, Anmeldedaten und Patentnummern präsentiert.

Patente

Properties of As+-implanted and annealed GaAs and InGaAs quantum wells: Structural and band-structure modifications

J.W. Tomm, V. Strelchuk, and A. Gerhardt
Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Max-Born-Str. 2A, 12489 Berlin, Germany

Published in:

J. Appl. Phys. 95 (3), 1122-1126 (2004).

Abstract:

Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Albert-Einstein-Straße 11, D-12489 Berlin, Germany

U. Zeimer

J. Jiménez