Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei 1,8 kV Durchbruchsspannung eine Leistungsdichte von 155 MW/cm² erreicht. Die Durchbruchfeldstärke liegt bei 1,8 MV/cm bis 2,2 MV/cm für Gate-Drain-Abstände zwischen 2 µm und 10 μm
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