Galliumoxid-Leistungstransistor mit Rekordwerten entwickelt
Das Ferdinand-Braun-Institut hat ß-Ga2O3-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Durchbruchspannung von 1,8 kV und einer Leistung von 155 MW pro cm2 entwickelt. Die Kennzahlen sind nahe dem theoretischen Materiallimit von Galliumoxid.
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