FBH-Paper vom Journal of Electronic Materials ausgezeichnet

Als eine von zwei Veröffentlichungen zur Electronics Materials Conference 2012 wurde das Paper "Si Doping of GaN in Hydride Vapor-Phase Epitaxy" (J. Electron. Mater., vol. 42, 820 (2013)) der FBH-Wissenschaftler Eberhard Richter, Ute Zeimer, Carsten Netzel, Markus Weyers und Günther Tränkle sowie Toma Stoica vom Forschungszentrum Jülich ausgezeichnet. Eberhard Richter nahm die Auszeichnung auf der diesjährigen Electronics Materials Conference (26.-28.06.2013) in South Bend, Indiana (USA) entgegen. Die Veröffentlichung beschäftigt sich mit dem Wachstum von n-dotierten Galliumnitrid (GaN)-Kristallen mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) und untersucht die bei Silizium (Si)-Dotierung von GaN beobachteten Verspannungen. Neben einem besseren Verständnis derartiger Verspannungen zeigt die Arbeit Wege, diese zu verringern und Risse in den GaN:Si Kristallen zu vermeiden.

FBH-Nachricht: 26.06.2013