EU-Projekt HiPoSwitch für GaN-Komponenten

In dem vom Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) geleiteten Projekt haben acht europäische Partner aus Forschung und Industrie selbstsperrende Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren bis zum Prototypen entwickelt.
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