Chiptechnologie

In den Prozesslinien des FBH werden RW-, BA- und Trapez-Diodenlaser sowie Laserbarren hergestellt, Prozessmodule für diese Prozesslinien weiterentwickelt und BA-Short-Loop-Prozesse zur Charakterisierung von Laserschichtstrukturen aus der Epitaxie bereitgestellt. Für frequenzstabilisierte Diodenlaser (DFB- und DBR-Laser) werden zusätzlich Gitterstrukturen in den Laserresonator eingebracht.

Prozessierter 3-Zoll-Wafer
Prozessierter 3-Zoll-Wafer

Verfahren

REM geätztes Oberflächengitter vor Entfernen Lackmaske
REM-Aufnahme eines geätzten Oberflächen-Gitters vor der Entfernung der Lackmaske
TEM eines überwachsenen holografischen Gitters
TEM-Aufnahme eines epitaktisch überwachsenden holographischen Gitters
  • Kontakt- und Projektionslithographie einschließlich periodischer Strukturen mit Strukturgrößen bis zu 500 nm
  • Ebeam-Lithographie für Gitterstrukturen und Ridges mit Critical Dimension (CD) von 70 nm
  • Holographische Belichtung für periodische Strukturen von 160 nm bis 400 nm Gitterperiode
  • Ionen-Implantation zur Stromführung
  • Nass- und trockenchemische Ätzverfahren zur Realisierung von Wellenleitern
  • Sputterverfahren und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten.
  • Aufdampf- und Sputterverfahren für p- und n-Kontakte
  • Elektrochemische Abscheidung von Gold
  • Backend-Prozess (Abdünnen, automatisiertes Ritzen und Brechen)
  • Passivierungsverfahren der Facettenoberfläche mittels MBE für Facettenstabilitäten bis 25 MW/cm2
  • Facettenbeschichtungen mittels Ionenstrahl-Sputtern für Reflexionsgrade im Bereich ≤ 10-4 bis > 98%