Chiptechnologie
In den Prozesslinien des FBH werden RW-, BA- und Trapez-Diodenlaser sowie Laserbarren hergestellt, Prozessmodule für diese Prozesslinien weiterentwickelt und BA-Short-Loop-Prozesse zur Charakterisierung von Laserschichtstrukturen aus der Epitaxie bereitgestellt. Für frequenzstabilisierte Diodenlaser (DFB- und DBR-Laser) werden zusätzlich Gitterstrukturen in den Laserresonator eingebracht.
Verfahren
- Kontakt- und Projektionslithographie einschließlich periodischer Strukturen mit Strukturgrößen bis zu 500 nm
- Ebeam-Lithographie für Gitterstrukturen und Ridges mit Critical Dimension (CD) von 70 nm
- Holographische Belichtung für periodische Strukturen von 160 nm bis 400 nm Gitterperiode
- Ionen-Implantation zur Stromführung
- Nass- und trockenchemische Ätzverfahren zur Realisierung von Wellenleitern
- Sputterverfahren und PECVD zum Aufbringen von Isolatorschichten.
- Aufdampf- und Sputterverfahren für p- und n-Kontakte
- Elektrochemische Abscheidung von Gold
- Backend-Prozess (Abdünnen, automatisiertes Ritzen und Brechen)
- Passivierungsverfahren der Facettenoberfläche mittels MBE für Facettenstabilitäten bis 25 MW/cm2
- Facettenbeschichtungen mittels Ionenstrahl-Sputtern für Reflexionsgrade im Bereich ≤ 10-4 bis > 98%
