Nachrichten 2019

Pressemitteilung: 01.10.2019

Preis der European Microwave Association 2019 an Wolfgang Heinrich verliehen

Mikrowellen-Forschung sichtbar machen und die Akteure in Forschung und Industrie vernetzen - dieses Anliegen treibt Wolfgang Heinrich seit vielen Jahren an. Für sein herausragendes Engagement wird der Leiter des Forschungsbereich III/V-Elektronik am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik von der European Microwave Association (EuMA) ausgezeichnet.

Quelle: Elektronikpraxis 27.09.2019

Erste volldigitale Transmitterkette für 5G-Mobilfunk

Das FBH bringt 5G das Stromsparen bei: Neuartige Leistungsverstärker und Spannungsversorgungen sollen helfen, den Stromverbrauch moderner Informations- und Kommunikationstechnologien wie 5G zu reduzieren.

Quelle: semiconductor-today.com, 18.09.2019 (in Englisch)

FBH reports 1.8kV-breakdown gallium oxide MOSFET with record power figure of merit

The Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) of Berlin, Germany has developed gallium oxide (ß-Ga2O3) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that provide a high breakdown voltage combined with high current conductivity

Quelle: Adlershof.de, 17.09.2019

Defekte im Fokus

Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin

Quelle: semiconductor-today.com, 17.09.2019

FBH presenting III-V electronics portfolio at European Microwave Week

In a joint booth (B2200) with ‘Research Fab Microelectronics Germany’ (FMD) at European Microwave Week (EuMW 2019) in Porte de Versailles Paris, France (1-3 October), Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) is presenting its portfolio of III-V-based electronics

Quelle: compoundsemiconductor.net, 17.09.2019

FBH To Exhibit III-V Portfolio At EuMW

At European Microwave Week (Paris, September 29 to October 4, 2019), Ferdinand-Braun-Institut (FBH) will present its portfolio of III-V electronics for the digitisation of mobile communications, for industrial and biomedical systems as well as for use in space.

Presseinformation der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland, 16.09.2019

From IDays to IDeas – die Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland stellt ihre neuesten Technologieinnovationen vor

Unsere Zukunft selbst mitgestalten und die Mikroelektronik von übermorgen in Deutschland und Europa entwickeln – mit diesem Ziel vor Augen trafen sich Technologieexpertinnen und -experten, Anwenderinnen und Anwender sowie Forschende der Fraunhofer-Gesellschaft und Leibniz-Gemeinschaft zu den 2. FMD Innovation Days.

Pressemitteilung: 16.09.2019

Defekte im Fokus

Vier Tage lang beschäftigen sich Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler mit Analyseverfahren zur Erkennung von Kristalldefekten auf der 18. internationalen DRIP-Konferenz in Berlin

Quelle: Entwicklung & Elektronik, 06.09.2019

Forschungsschub für das Quanteninternet

Dr. Tim Schröder, Wissenschaftler am Institut für Physik der HU Berlin und am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), hat einen ERC Starting Grant eingeworben und wird für fünf Jahre mit 1,5 Millionen Euro gefördert.

Quelle: Electronics Online, 05.09.2019 (in Englisch)

Gallium oxide power transistors said to achieve record values

Researchers from Germany’s Ferdinand-Braun-Institut (FBH) have made a breakthrough in their development of transistors based on gallium oxide (ß-Ga2O3), achieving high breakdown voltage combined with high current conductivity.

Quelle: www.greencarcongress.com 29.08.2019 (in Englisch)

FBH reports gallium oxide power transistors with record values

The Ferdinand-Braun-Institut (FBH) has achieved a breakthrough with transistors based on gallium oxide (beta-Ga2O3). The newly developed beta-Ga2O3-MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) provide a high breakdown voltage combined with high current conductivity.

Quelle: www.elektroniknet.de 29.08.2019

Galliumoxid-MOSFET bewältigt 155 MW/cm²

Das Ferdinand-Braun-Institut hat einen lateralen Leistungstransistor entwickelt, der bei 1,8 kV Durchbruchsspannung eine Leistungsdichte von 155 MW/cm² erreicht. Die Durchbruchfeldstärke liegt bei 1,8 MV/cm bis 2,2 MV/cm für Gate-Drain-Abstände zwischen 2 µm und 10 μm

Quelle: www.eenewseurope.com 27.08.2019 (in Englisch)

Gallium oxide power transistors achieve record values

Researchers at the Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (Berlin) have developed a novel type of MOSFETs based on gallium oxide (ß-Ga2O3), with breakthrough characteristics.

Quelle: all-electronics.de 29.08.2019

Galliumoxid-Leistungstransistor mit Rekordwerten entwickelt

Das Ferdinand-Braun-Institut hat ß-Ga2O3-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Durchbruchspannung von 1,8 kV und einer Leistung von 155 MW pro cm2 entwickelt. Die Kennzahlen sind nahe dem theoretischen Materiallimit von Galliumoxid.

Quelle: Power Systems Design, 27.08.2019 (in Englisch)

Gallium Oxide Power Transistors with Record Values

Powerful electronic components are indispensable for future communications, for the digital transformation of society and for artificial intelligence applications.

Quelle: Compound Semiconductor, 27.08.2019 (in Englisch)

FBH Achieves Gallium Oxide Breakthrough

Scientists at the Ferdinand-Braun-Institut (FBH) have achieved what they believe is a breakthrough for transistors based on the ultra wideband semiconductor gallium oxide. They published their results in IEEE Electron Device Letters.

Quelle: PowerPulse.Net, 27.08.2019 (in Englisch)

Gallium-Oxide Power Transistors Handle 155MW per Square Centimeter

On a footprint as small as possible, power electronic components should offer low energy consumption and achieve ever higher power densities, thus working more efficiently. This is where conventional devices reach their limits.

FBH-Nachricht: 20.08.2019

Innovationen gemeinsam weitertreiben - Brandenburger Optik-Tag

Transfer von der Wissenschaft in die Industrie - darum drehte sich der 3. Brandenburger Optik-Tag in Frankfurt/Oder am 19.08.2019. Der Brandenburgische Wirtschaftsminister Jörg Steinbach hob die Strahlkraft der optischen Technologien für die Region hervor. Zu den Ergebnissen tauschten sich die Gäste aus Forschung und Industrie auf der vom Cluster Optik und Photonik organisierten Veranstaltung aus.

FBH-Nachricht: 15.08.2019

Save the Date - ICULTA 2020

Advanced UV for Life und die International Ultraviolet Association (IUVA) kündigen die zweite internationale Konferenz zu UV LED Technologies & Applications an. Sie findet vom 26.-29.04.2020 im MELIÃ Hotel Berlin statt. Der Call for Abstracts läuft bis 30.11.2019.

Source: Laser Focus World Japan, 25.06.2019 (in Japanese)

FBH、LiDAR & SERDS向けシステムをデモ

June, 25, 2019, Berlin--Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik(FBH)は、ミュンヘンで開催されているフォトニクスのレーザワールド(Laser World of Photonics)で、現在開発中のチップとモジュール、デモンストレーションなど幅広い展示を行う。

Quelle: Cluster Optik & Photonik, 17.06.2019

Innovationsforum Photonische Quantentechnologien startet in Berlin-Adlershof

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF kommen in dem neuen Innovationsforum Akteure aus Forschung und Industrie zusammen, um die vorhandene Expertise bei Quantentechnologien besser für den Know-How-Transfer nutzbar zu machen. Im Interview erklärt der Projektleiter Dr. Markus Krutzik was bei den Quantentechnologien schon heute machbar ist.

Quelle: Semiconductor Today, 10.06.2019 (in Englisch)

FBH presenting custom diode lasers and UV LEDs and demonstrating systems for LiDAR & SERDS

At the joint Berlin-Brandenburg stand (booth B2.119) at the Laser World of Photonics 2019 in Munich (24–27 June), Berlin-based Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) – together with spin-off UVphotonics – is presenting its latest developments in diode lasers and ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs), from chips and modules with and without fiber coupling to live demonstrators for LiDAR and Raman spectroscopy.

Quelle: Compound Semiconductor, 28.05.2019 (in Englisch)

FBH To Show Latest Technology At Laser World Of Photonics

The Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) is showing its range of services at Laser World of Photonics in Munich from June 24-27, 2019. At the joint Berlin-Brandenburg stand, the institute will present current developments, from chips and modules with and without fibre coupling to live demonstrators.

Quelle: eeNews Europe, 28.05.2019 (in Englisch)

Custom pulsed laser source for LiDAR

To be demonstrated at Laser World of Photonics, the Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) has developed a stand-alone, PC-controlled pulsed laser source for LiDAR research, allowing the flexible adjustment of pulse duration and intensity.

Quelle: Unternehmen Region 1/2019, S. 14-21

Die Herrin des Lichts

Neysha Lobo Ploch ist unter der Sonne Indiens auf­gewachsen. Helles Licht ist ihr Lebenselixier. Hier in Deutschland hat die Physikerin ein Unternehmen gegründet, das die neueste Generation künstlicher Sonnen entwickelt. „Unternehmen Region“ war einen Tag lang an ihrer Seite.

Quelle: Unternehmen Region 1/2019, S. 5

Künstliche Sonnen

Sie sind kom­pakt, lassen sich flexibel anpassen, produzieren kaum Wärme und kommen ohne toxische Stoffe aus: UV­Leuchtdioden haben gegenüber den klassischen Quecksilberdampf­lampen viele Vorteile.

Medieninformation TU Berlin, 17.05.2019

Vom Lichtdoping für Gemüse bis zur Wasseraufbereitung

Multiresistente Krankenhauskeime beunruhigen die Medizinwelt: Sie scheinen sich nahezu überall zu verbreiten. Gerade in Krankenhäusern wird die Kontrolle der Desinfektion immer wichtiger.

FBH-Nachricht: 26.04.2019

Hildegard Bentele zu Besuch am FBH

Am 25.04.2019 besuchte Hildegard Bentele, bildungspolitische Sprecherin der CDU-Fraktion im Abgeordnetenhaus von Berlin und Spitzenkandidatin der CDU für die anstehende Europawahl, das FBH.

Quelle: Photonics West Daily Show, 07.02.2019 (S. 4, in Englisch)

Planets, plasmas, pulses

The LASE Plenary covered the whole spectrum, from Cassini's survey of Saturn, through reinforcing nuclear reactors and at-risk bridges, to powerful diode pulses.

Quelle: Laser Focus World, 30.01.2019 (in Englisch)

Farming 4.0 and the photonics industry

It is rare that a politician is cited in a laser magazine. But last week, Chancellor Angela Merkel spoke about digital technologies for farming at the International Green Week, here in Berlin. Referring to precision farming, she said, "this technology enables us to look at each and every plant and to enter information on specific plants, thus reducing the need for fertilizers and making forecasts possible.

Quelle: Laser Focus World, January 2019, S. 77 ff. (in Englisch)

Research gives high-power diode lasers new capabilities

R&D at Berlin Adlershof has resulted in design improvements for high-power diode lasers that are boosting efficiency, peak power, brilliance, and range of emission spectra.

Quelle: Photonik, 23.01.2019

Fasergekoppeltes Diodenlasermodul

Die kompakten Lasermodule für den gelben Spektralbereich von 532 nm bis 590 nm bieten Ausgangsleistungen im Wattbereich.

Quelle: Laser Focus World Japan, 18.01.2019 (in Japanisch)

UVphotonicsとFBH、Photonics WestでUVBとUVC LEDを展示

UVphotonicsは、Photonics West2019で、UVBとUVC波長領域で発光するUV LEDを紹介する。このLEDのアプリケーションに含まれるのは、センシング、光療法、植物育成照明。

Quelle: Evertiq, 18.01.2019 (in Polnisch)

LED UV generujące światło od 320 do 230 nm

Firma UVphotonics , przy współpracy z Ferdinand-Braun-Institut opracowała swoje nowe diody LED emitujące światło ultrafioletowe na pasmach UVB oraz UVC.

Quelle: eeNews, 16.01.2019 (in Englisch)

Custom UV LEDs and modules in the 320 to 233nm band

Together with the Ferdinand-Braun-Institut, UVphotonics has developed UV LEDs emitting in the UVB and UVC wavelength regions for sensing, phototherapy and plant growth lighting.

Quelle: Compound Semiconductor, 10.01.2019 (in Englisch)

UVPhotonics And FBH Exhibit Jointly Developed UV LEDs

At Photonics West 2019, UVphotonics will showcase its latest UV LED developments jointly with the Ferdinand-Braun-Institut (FBH) at the German Pavilion at Photonics West 2019, hosted in San Francisco (USA) from February 5-7, 2019.

Quelle: Compound Semiconductor, Nov./Dec. 2018 (in Englisch)

Developing efficient, reliable UV LEDs

The performance of the UV LED improves by trimming its dislocation density, boosting light extraction and enhancing thermal management.