Neues Material für die Leistungselektronik der Zukunft
Im Rahmen des kürzlich gestarteten Verbundprojekts ForMikro-GoNext des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung, des Ferdinand-Braun-Instituts, des Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, der Uni Bremen sowie der Industriepartner ABB Power Grids Switzerland und Aixtron untersuchen Forscher das Halbleitermaterial Beta-Galliumoxid in einer neuen vertikalen Bauelementarchitektur, um dessen herausragende Eigenschaften für Transistoren noch besser nutzen zu können.
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