Gate dielectric in GaN-based Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistors: an overview on technology, issues and limitations

Mattia Capriotti
TU Wien

Ort verlegt: Seminarraum des ZMM, Max-Planck-Str. 3, 12489 Berlin (Parterre rechts)

FBH-Institutskolloquium: 10.10.2014 (in Englisch)