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Publikationen

Konferenzbeiträge - bei Terminen
Eine Reihe von Hochformatbroschüren ist aufrecht angeordnet. Die Cover zeigen Titel und Informationen zu verschiedenen Themen.

Dissertationen
Collage aus mehreren Patentschriften aus verschiedenen Ländern, darunter Deutschland, die USA und Japan. Es werden Informationen wie Aktenzeichen, Anmeldedaten und Patentnummern präsentiert.

Patente

On the Gunn Effect in GaAs HBTs

M. Rudolph, R. Doerner, P. Heymann

Published in:

IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., vol. 2, pp. 683-686 (2001).

Abstract:

A negative RF-resistance effect in GaAs HBTs is described. It results from the nonlinear velocity-field characteristic in GaAs, takes place in the bulk collector, and leads to |S22| exceeding unity. Dependence on bias point and collector doping, and consequences for modeling are discussed.

Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Albert-Einstein-Straße 11, 12489 Berlin, Germany

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