Department Materialtechnologie

In der Materialtechnologie beginnt die Umsetzung der Konzepte für optoelektronische und elektronische Bauelemente. Als Kompetenzzentrum für die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) stellen wir ultradünne Halbleiter-Schichtstrukturen her. Dazu wachsen wir auf einem einkristallinen Substrat, Atomlage für Atomlage, homogene Schichten mit exakt definierten Eigenschaften und begleitet von einer umfassenden Materialanalytik.

• Epitaxie Nitride – Heterostrukturen für UV-LEDs, UV-Fotodetektoren, violette Laserdioden und GaN-Transistoren. Weiterhin forschen wir an HVPE-Prozessen für AlN-Templates.
• Epitaxie Arsenide & Phosphide – Heterostrukturen für GaAs-Laserdioden sowohl für die Bauelemententwicklung am FBH als auch für externe Kunden. Darüber hinaus entwickeln wir SAM-Strukturen für gepulste Lasersysteme.