Stellenangebote

Das Ferdinand-Braun-Institut ist eines der international führenden Forschungsinstitute auf den Gebieten Hochleistungsdiodenlaser sowie Mikrowellenkom­ponenten und -systeme. Seine anwendungsorientierten Forschungsarbeiten basieren auf III/V-Verbindungshalbleitern (GaAs, GaN) und reichen von Simulation und Entwurf über die Halbleitertechnologie bis zur Montage und Lieferung von einsatzfähigen Modulen.

In enger Zusammenarbeit mit seinen Forschungs- und Industriepartnern setzt das FBH Forschungsergebnisse in vielfältige Anwendungen um, u.a. in der Kommunikations-, Laser- und Weltraumtechnologie. Für künftige Anwendungen führt das Institut grundlegende Untersuchungen an Nitriden durch.

Das Ferdinand-Braun-Institut gehört zum Forschungsverbund Berlin e.V. und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.

In der Abteilung Prozesstechnologie suchen wir zur Verstärkung unserer neuen Arbeitsgruppe InP-basierte THz-Elektronik eine(n) wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) / Doktorand(in) Halbleitertechnologie (KZ 01/12)

Voraussetzung ist ein abgeschlossenes Hochschulstudium (Uni) in den Bereichen Physik, Chemie, Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik mit Schwerpunkt Halbleitertechnologie. Wir bieten eine verantwortungsvolle Mitarbeit bei der Entwicklung von Integrationstechnologien für THz-Systeme auf Grundlage von Hochfrequenz-Bauelementen in InP Hetero-Bipolar-Transistor- und Silizium-BiCMOS-Technologie.

Wir erwarten Einsatzbereitschaft, Flexibilität, selbständiges präparatives Arbeiten bei der Entwicklung neuer Verfahren sowie Ausdauer und Gewissenhaftigkeit bei der Pflege und dem Ausbau etablierter Prozesse. Praktische Erfahrungen in der experimentellen und anwendungsorientierten Forschung, Engagement bei der Umsetzung von Forschungsergebnissen in marktfähige Produkte, Teamfähigkeit und sehr gute Englischkenntnisse werden vorausgesetzt.

Wir bieten eine anspruchsvolle interdisziplinäre Tätigkeit. Die Möglichkeit zur Promotion ist gegeben. Die Vergütung erfolgt nach TVöD je nach Qualifikation und Erfahrung. Die Stelle kann ab sofort besetzt werden und ist zunächst auf 2 Jahre befristet. Vorausgesetzt wird die Bereitschaft zur Schichtarbeit im Zweischichtsystem. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Für weibliche und männliche Bewerber besteht Chancengleichheit. Qualifizierte Frauen werden daher besonders aufgefordert, sich zu bewerben. Schwerbehinderte erhalten bei gleicher Qualifizierung den Vorzug.

Ihre vollständigen und aussagefähigen Bewerbungsunterlagen senden Sie bitte bis zum 14.02.2012 unter Angabe der entsprechenden Kennziffer an das

Sie sind engagiert, hoch motiviert und arbeiten gerne im Team. Ihr Studium oder eine Ausbildung aus einem der folgenden Bereiche haben Sie erfolgreich abgeschlossen:

• Physik
• Elektrotechnik
• Hochfrequenztechnik
• Mikrosystemtechnik
• ...

Wenn Sie außerdem Berufspraxis sowie fundierte Kenntnisse bei der Herstellung von Halbleiter-Diodenlasern, Mikrowellenkomponenten und -systemen, Galliumnitrid-Elektronik oder -Optoelektronik mitbringen, sollten wir uns kennen lernen.

Wir sind ein stetig wachsendes Institut und freuen uns über Ihre Initiativbewerbung mit den üblichen Unterlagen. Bitte senden Sie diese an die Personalabteilung oder direkt an den jeweiligen Abteilungs- bzw. Geschäftsbereichsleiter des von Ihnen gewünschten Bereiches.