Fotodetektoren für den nahen bis fernen UV-Bereich

Mit Absorberschichten aus AlGaN stellen wir MSM-Detektoren (metal-semiconductor-metal) bis in den VUV-Bereich her. Sie zeichnen sich durch niedrige Dunkelströme im pA-Bereich und hohe Quantenausbeuten von bis zu 70% bei niedrigen Vorspannungen aus.