Bilderservice

Mikrowellen-Plasmaquelle

Mikrowellen-Plasmaquelle aus dem FBH zur Hauttherapie

Konzentrationen im Plasma

Die Konzentration von Stickstoffmonoxid und Ozon kann über den Prozessgasfluss eingestellt werden.

Logo

Logo des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

Prof. Dr. Günther Tränkle

Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

Prof. Dr. Günther Tränkle

Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

Prof. Dr. Günther Tränkle

Direktor des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik

Ferdinand-Braun-Institut - Haupteingang

Ferdinand-Braun-Institut - Solarwand

Die Fassade am Laborbau des Ferdinand-Braun-Instituts wurde mit neuartigen CIS-Solarmodulen aus Kupfer, Indium und Schwefel der Firma Sulfurcell ausgestattet. Betrieben wird die Anlage von der Firma Dachland.

Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) - Planetenreaktor

Planetenreaktor AIX2400G3 beim Beladen. Die Substratwafer (InP oder GaAs) werden in eine Stickstoff-gespülte Handschuhbox eingeschleust und - wie im Bild zu sehen - einzeln in den Reaktor gelegt. In diesem Reaktortyp kann auf bis zu fünf 4-Zoll-Wafern gleichzeitig abgeschieden werden.

Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) - Horizontalreaktor

Horizontalreaktor AIX200/4 in Betrieb. Der Quarzglasreaktor und die darin befindlichen Substrate werden mit IR-Lampen geheizt. Eine typische Prozesstemperatur für GaAs-basierte Epitaxie ist 700°C.

Reinraum - Bonder

Um ein Bauelement herzustellen, muss eine Verbindung zu einer elektrischen Quelle über einen hauchdünnen Golddraht hergestellt werden (Bonden = Verbinden von zwei oder mehreren Bauteilen oder Wafern mit Hilfe verschiedener chemischer und physikalischer Effekte).

On-wafer Mikrowellen­messtechnik

Spezielle Messspitzen ermöglichen es, gezielt einzelne Schaltungen auf dem Wafer zu messen. Die Kontakte sind dabei in der Regel nur 50-150 Mikrometer voneinander entfernt. Diese Messtechnik zeichnet sich dadurch aus, dass die Hochfrequenz­eigenschaften der Schaltungen durch die Messspitzen (Probes) nur unwesentlich verfälscht werden.

GaN-Wafer mit HEMT-Transistoren

High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf der Basis von Galliumnitrid-Heterostrukturen (GaN) auf 2-Zoll-Silizium-Carbid-Substraten (SiC). Die Transistoren werden für die nächste Generation von Geräten in der Mobilkommunikation entwickelt. Die Leistungsfähigkeit der neuen Transistoren wie hohe Betriebsspannung, einfache Impedanzanpassung und hohe Leistungsdichte versprechen nicht nur weitere Anwendungsgebiete sondern auch günstigere Systemkosten.

UV-LED auf Galliumnitridbasis

Diese LEDs im ultravioletten Spektralbereich sollen künftig zur Wasserdesinfektion eingesetzt werden.

Master Oscillator Power Amplifier (MOPA)

Hybrid integrierter Oszillator und Verstärker zur Erzeugung von Laserstrahlung höchster Brillanz. Auf einer aus Silizium bestehenden optischen Mikrobank sind ein Oszillator-Laser (typischerweise DFB- oder DBR-Laser), ein Trapezverstärker und als Koppelungselement eine Mikrolinse montiert.

Kleiner als eine Streichholzschachtel: Mikrosystemlichtquelle für "FreshScan"

Hybrider Diodenlaser in externer Kavität auf Mikrobank für das Projekt "FreshScan". Mit diesem Diodenlasersystem werden Ramanspektren gemessen, die eine Art optischen Fingerabdruck liefern - je nach Frischezustand des Fleisches. Dieser Laser soll künftig in ein tragbares Handgerät integriert werden, um ihn flexibel einsetzen zu können.

Breitstreifenlaser

Montierte Breitstreifen­laserdiode auf Wärmesenke.

Laserstack - Pumpmodul für Röntgenlaser

Die Diodenlaserstacks ermöglichen ein neuartiges Konzept für Röntgenlaser, deren Vorteile v.a. in dem intensiven kurzwelligen Licht, der vergleichsweise geringen Größe und der erforderlichen geringen Pumplaserenergie liegen. Damit soll künftig die Fläche mehrerer Schreibtische ausreichen, um einen Röntgenlaser aufzubauen. Der Diodenlaserstack besteht aus vertikal gestapelten Laserbarren bis zu einem Leistungsbereich von 1,2 kW mit einer Effizienz von 50%. Das Design und die Parameter der Diodenlaserstacks wurden hinsichtlich einer einfachen und stabilen Montage sowie einer einfachen und effizienten Kopplung der Lichtleitung in Glasfasern optimiert.

Energieeffizienter Klasse-S-Verstärker für die Mobilkommunikation

Innovatives, digitales Verstärkerkonzept, das den Energiebedarf bei W-LAN- und Mobilfunk-Basisstationen signifikant senkt und internationale Rekordwerte liefert. Das Modul basiert auf einem Galliumnitrid-Schaltverstärker-IC (integrierter Schaltkreis). Derartige ICs fü Bitraten im GHz-Bereich wurden am FBH weltweit erstmals demonstriert.

Galliumnitrid (GaN)-Leistungsverstärker

Monolithisch integrierter GaN-Leistungsverstärker (MMIC) für das X-Band, aufgebaut als Modul. Das MMIC liefert bei 8 GHz mehr als 10 W bei 16 dB Verstärkung. Derartige Verstärker sind für zahlreiche Anwendungen im Bereich Radar und Satelliten-Kommunikation interessant.

Mikrowellen-Plasma bei Atmosphärendruck

Das Ferdinand-Braun-Institut hat eine neuartige Plasmaquelle entwickelt, mit der sich Luft sozusagen "anzünden" lässt und eine kalte Flamme entsteht. Damit sollen künftig u.a. Hauterkrankungen behandelt und die Wundheilung verbessert werden.

Wafer mit HBTs auf Indiumphosphid-Basis - Flexible Ausführung

Transfer-Substrat-Wafer mit Hetero-Bipolar-Transistoren auf Indiumphosphid-Basis in flexibler Ausführung.