Termine 2017

Konferenz: 24.-28.07.2017, Straßburg (Frankreich)

ICNS 12

Das FBH ist auf der International Conference on Nitride Semiconductors mit  einem eingeladenen Vortrag vertreten: Review of vertical GaN-based FETs
Konferenz-Webseite

Preisverleihung: 13.07.2017, 17:15 Uhr, Magnus-Haus Berlin

Physik-Studienpreis der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin

Die beiden FBH-Doktoranden Nils Werner (Uni Potsdam) und Matthias Karow (TU Berlin) gehören zu den diesjährigen Preisträgern des Physik Studienpreises der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin. Damit werden ihre Masterarbeiten ausgezeichnet, die teils auch am FBH entstanden sind.

Der Physik-Studienpreis 2017 wird im Rahmen einer öffentlichen Festveranstaltung im Magnus-Haus am Donnerstag, 13. Juli 2017 um 17:15 Uhr verliehen.
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Messe und Konferenz: 26.-29.06.2017, München

Laser World of Photonics und CLEO Europe 2017

Besuchen Sie uns auf der Laser World of Photonics. Vom 26.-29.06.2017 finden Sie uns am Berlin-Brandenburger Gemeinschaftsstand in Halle B2, Stand 350.

Auf der begleitenden Konferenz, der CLEO Europe, ist das FBH mit mehreren Beiträgen beteiligt:

  • Long-Resonator Laser-Diode Bars for Eff›cient kW Emission
  • Ultralow pulse-to-pulse timing jitter for telecommunication applications by a monolithic passively mode-locked multi quantum-well semiconductor laser emitting at 1080 nm
  • Portable SERDS system for the detection of carotenes in human skin
  • Self-optimizing passively, actively and hybridly mode-locked diode lasers (Poster)
  • Development of a compact mode-locked ECDL for precision frequency comparison experiments at 780 nm (Poster)
  • Comparison of passive mode-locked laser diodes with colliding and anticolliding designs containing a DQW with a broad gain spectrum (Poster)
  • Miniaturized red-emitting hybrid semiconductor MOPA modules with small-sized Faraday isolators (Poster)
  • Micro-integrated extended cavity diode laser with integrated optical amplifier for precision spectroscopy in space (Poster)
  • Design and realization of a widely tunable sampled-grating distributed- Bragg režector (SG DBR) laser emitting at 976 nm (Poster)
  • Inžfluence of lateral waveguide and grating layouts on the dišffraction efficiency of distributed Bragg reflžectors (Poster)
  • Dual-wavelength Y-branch DBR-RW diode laser at 785 nm with an electrically tuneable wavelength distance up to 2 nm (Poster)
  • Simulation and experiment results of high power DFB diode laser linewidth power product at 780 nm (Poster)
  • Pico- and Nanosecond Dynamics of the Lateral Emission of Broad Area Distributed Bragg Režflector Lasers under High-Current Pulsed Excitation (Poster)
  • Towards Compact Optical Quantum Technology For Space Environments

Konferenz: 04.-09.06.2017, Honolulu (Hawai)

International Microwave Symposium 2017

Das FBH ist an mehreren Beiträgen und einem Workshop am International Microwave Symposium beteiligt:

  • An Active Balanced Up- Converter Module in InP-on- BiCMOS Technology
  • A 2-W GaN-Based Three-Level Class-D Power Amplifier With Tunable Back-off Efficiency
  • Novel Digital Microwave PA With More Than 40% PAE Over 10 dB Power Back-Off Range
  • A 14 W Wideband Supply- Modulated System With Reverse Buck Converter and Floating-Ground RF Power Amplifier
  • Highly Efficient Class-G Supply-Modulated Amplifier With 75 MHz Modulation Bandwidth for 1.8–1.9 GHz LTE FDD Applications
  • GaN MMIC Active Arrays With Space Power Combination
  • Mutual Interference in Calibration Line Configurations
  • Digital Transmitters for the Wireless Infrastructure (Beitrag zum Workshop Digital-Intensive Wireless Transmitters for 4G/5G Broadband Mobile Communications)
  • A Drain Lag Model for GaN HEMT Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
  • Thick-Film MIM BST Varactors for GaN Power Amplifiers With Discrete Dynamic Load Modulation
  • A 14 W Wideband Supply- Modulated System With Reverse Buck Converter and Floating-Ground RF Power Amplifier
  • Workshop organisiert von A. Wentzel:  Efficiency Enhancement and Linearization Techniques for Future Wireless Telecommunication Systems

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Konferenz: 22.-25.05.2017, Californien (USA)

CS MANTECH

Das FBH präsentierte auf der CS Mantech den Vortrag: "Iridium Plug Technology for AlGaN/GaN HEMT Short-Gate Fabrication"

Festakt und Symposium: 18.05.2017 Urania Berlin

The Future on Stage - Spitzenforschung aus Berlin

25 Jahre nach seiner Gründung schreibt der Forschungsverbund Berlin eine besondere Erfolgsgeschichte. Die acht Institute forschen heute in der internationalen Top-Liga und leisten mit ihren Themen wichtige Beiträge für die Entwicklung unserer Gesellschaft.

  • Festakt 09.00-10.30 Uhr
  • Symposium 11.30-14.15 Uhr mit Vorträgen aus den 8 Instituten
  • LabSlam 14.45-16.15 Uhr

weitere Informationen zu Programm und Anmeldung

Konferenz und Ausstellung: 14.-18.05.2017, Berlin

Compound Semiconductor Week 2017

Auf der Compound Semiconductor Week ist das FBH an folgenden Vorträgen beteiligt:

  • Understanding and controlling diameter widening during self-assisted growth of GaAs nanowires
  • Development of AlGaN-based Deep UV LEDs for Nitrogen Oxide Sensing
  • Separation of degradation effects in (AlGa)N-based UVB-LEDs
  • Comparing electron beam lithography and nanoimprint lithography for the selective-area growth of GaAs nanowires by molecular beam epitaxy
  • Integration of active, passive and buried-grating sections for a GaAs-based, widely tunable laser with sampled grating Bragg reflectors
  • Wavelength stabilized high pulse power laser diodes for automotive LIDAR
  • GaN based vertical n channel MISFETs for switching applications (Poster)
  • Physical simulation of transferred substrate InP/InGaAs DHBT (Poster)

Besuchen Sie uns auch auf der begleitenden Ausstellung.

Girls'Day am FBH: 27.04.2017

Klein aber oho

Kleine Halbleiter-Bauelemente wie Laser, Verstärker, Sendebausteine gehören zu unserem Alltag. Sie stecken in jedem Mobiltelefon, in Tablets, in der Supermarktkasse oder sorgen für Sicherheit im Auto. Es gibt jedoch auch ganz spezielle Anwendungen, für die reiskorngroße Laser oder Miniverstärker entwickelt werden: von der Datenübertragung im Weltraum bis zur Medizin (Augenlaser, Zahnmedizin). Unsere Auszubildenden begleiten euch beim Ausflug in diese Mikrowelt. Wir zeigen euch, wie so ein winziger Laser aussieht und die Speziallabore (Reinräume), in denen sie hergestellt werden. Außerdem seht ihr, wie wir mit dem Rasterelektronenmikroskop die winzigen Strukturen unserer Bauelemente untersuchen. Die meisten sind viel kleiner als der Durchmesser eines Haares. Seid ihr neugierig geworden?

Probiert euch aus und fragt unseren Wissenschaftlerinnen und Mikrotechnologie-Azubis Löcher in den Bauch.

Anmeldung über die Girls' Day Webseite

Konferenz: 24.-27.04.2017 Prag (Tschechische Republik)

SPIE Optics + Optoelectronics

Das FBH ist mit einem Vortrag auf der Konferenz vertreten

  • Watt-level yellow emitting lasers by frequency doubling of high power diode lasers

Konferenz: 18.-21.04.2017 Yokohama (Japan)

Laser Display and Lighting Conference 2017

Das FBH präsentiert auf der Konferenz die folgenden Beiträge:

  • Master Oscillator Power Amplifier Concepts with Nearly Diffraction-Limited Watt-Level Continuous Wave Emission at 635 nm for Laser Projection
  • Compact RGB laser sources (eingeladener Vortrag)

Konferenz: 09.-13.04.2017 Oxford (UK)

MSM XX

Microscopy of Semiconducting Materials - das FBH präsentiert die folgenden Vorträge:

  • Correlation of structural, optical and lasing properties of 240 nm laser structures
  • Study of defect density and compositional homogeneity in AlN/AlGaN layers for application in UV emitters (eingeladener Vortrag)

Konferenz: 03.-05.04.2017, Noordwijk (Niederlande)

Workshop on microwave technology and techniques

Das FBH ist auf der Konferenz mit mehreren Beiträgen vertreten:

  • MM-Wave MMIC components for space radar applications
  • Optimization of a buck-converter based envelope tracking system for space applications
  • A highly tunable package integrated 50 Ohm matched GaN transistor module with thin-film BST components
    Programm

Konferenz: 19.-24.03.2017, Dresden

DPG-Frühjahrstagung

Das FBH ist an mehreren Vorträgen und Postern beteiligt.

Vorträge:

  • Mode-locking dynamics and pulse train stability of monolithic two-section quantum-well semiconductor lasers emitting at 1070 nm with different lengths and gain-to-absorber section length ratios
  • Optoelectronic Characterization of AlGaN-based MSM-UV-Photodetectors
  • Beyond classical band offsets: Employing multiquantum barriers for electron blocking in group III-nitride devices
  • Enhanced light extraction and internal quantum efficiency for UVB LEDs with UV-transparent p-AlGaN superlattices
  • Influence of the GaN:Mg contact layer on the electro-optical properties of UVB LEDs
  • Surface-morphology transition between step-flow growth and step bunching
  • Superconducting ferecrystals: turbostratically disordered atomic-scale layered (PbSe)1.14(NbSe2)n heterostructures

Posterbeiträge:

  • Ohmic V-based contacts on n-Al0:8Ga0:2N for deep UV LEDs
  • Influence of p-AlGaN superlattice and quantum barrier composition on electro-optical characteristics of UVC-LEDs
  • Investigation of electrical conduction mechanisms in Si-doped GaN
  • Determination of threading dislocation density of AlN on sapphire substrates by X-ray diffraction
  • Light extraction in UVC LEDs grown on ELO AlN/sapphire templates
  • Optical feedback stabilization of a passively mode-locked multi quantum well semiconductor laser emitting at 1070 nm

Konferenz: 28.01.-02.02.2017, San Francisco (USA)

Photonics West

Das FBH ist auf der größten Konferenz zu Photonischen Technologien mit  zahlreichen Beiträgen vertreten:

  • In-situ shifted excitation Raman difference spectroscopy: development and demonstration of a portable sensor system at 785 nm
  • Compact single-mode diode laser in the visible spectral range
  • Assessment of factors regulating the thermal lens profile and lateral brightness in high power diode lasers (Invited Paper)
  • Compact diode laser module at 1116 nm with an integrated optical isolation and a PM-SMF output
  • Narrow linewidth diode laser modules for quantum optical sensor applications in the field and in space (Invited Paper)
  • kW-class diode laser bars
  • Progress in joule-class diode laser bars and high brightness modules for application in long-pulse pumping of solid state amplifiers
  • Miniaturized laser amplifier modules for wavelength of 1180 nm with pm-fiber input and optical output power > 1 W
  • Coherent beam combining architectures for high power tapered laser arrays
  • Non-uniform DFB-surface-etched gratings for enhanced performance high power, high brightness broad area lasers
  • 3.5 W of diffraction-limited green light at 515 nm from SHG of a single-frequency tapered diode laser
  • Picosecond pulsed micro-module emitting near 560 nm using a frequency doubled gain-switched DBR ridge waveguide semiconductor laser
  • 633 nm single-mode laser diode module with PM fiber output
  • AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors with high external quantum efficiency at low operating voltages (Invited Paper)
  • Improved light extraction and quantum efficiencies for UVB LEDs with UV-transparent p-AlGaN superlattices
  • Analysis of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers by nearfield optical microscopy
  • 1030-nm diode-laser-based light source delivering pulses with nanojoule energies and picosecond duration adjustable by mode-locking or pulse-gating operation
  • 785-nm dual-wavelength Y-branch DBR-RW diode laser with electrically adjustable wavelength distance between 0 nm and 2 nm
  • Monolithic dual-wavelength diode lasers with sub-MHz narrowband emission at 785 nm
  • 1030-nm DBR-tapered diode lasers with up to 16 W of optical output power
  • In-situ metrology in multiwafer reactors during MOVPE of UV-LED structures (Invited Paper)
  • Operation-induced defect generation in deep-UV (In)AlGaN-based LEDs investigated by electrical and optical spectroscopy

Konferenzprogramm