Termine 2016

Konferenz: 28.01.-02.02.2017, San Francisco (USA)

Photonics West

Das FBH ist auf der größten Konferenz zu Photonischen Technologien mit  zahlreichen Beiträgen vertreten:

  • In-situ shifted excitation Raman difference spectroscopy: development and demonstration of a portable sensor system at 785 nm
  • Compact single-mode diode laser in the visible spectral range
  • Assessment of factors regulating the thermal lens profile and lateral brightness in high power diode lasers (Invited Paper)
  • Compact diode laser module at 1116 nm with an integrated optical isolation and a PM-SMF output
  • Narrow linewidth diode laser modules for quantum optical sensor applications in the field and in space (Invited Paper)
  • kW-class diode laser bars
  • Progress in joule-class diode laser bars and high brightness modules for application in long-pulse pumping of solid state amplifiers
  • Miniaturized laser amplifier modules for wavelength of 1180 nm with pm-fiber input and optical output power > 1 W
  • Coherent beam combining architectures for high power tapered laser arrays
  • Non-uniform DFB-surface-etched gratings for enhanced performance high power, high brightness broad area lasers
  • 3.5 W of diffraction-limited green light at 515 nm from SHG of a single-frequency tapered diode laser
  • Picosecond pulsed micro-module emitting near 560 nm using a frequency doubled gain-switched DBR ridge waveguide semiconductor laser
  • 633 nm single-mode laser diode module with PM fiber output
  • AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors with high external quantum efficiency at low operating voltages (Invited Paper)
  • Improved light extraction and quantum efficiencies for UVB LEDs with UV-transparent p-AlGaN superlattices
  • Analysis of waveguide architectures of InGaN/GaN diode lasers by nearfield optical microscopy
  • 1030-nm diode-laser-based light source delivering pulses with nanojoule energies and picosecond duration adjustable by mode-locking or pulse-gating operation
  • 785-nm dual-wavelength Y-branch DBR-RW diode laser with electrically adjustable wavelength distance between 0 nm and 2 nm
  • Monolithic dual-wavelength diode lasers with sub-MHz narrowband emission at 785 nm
  • 1030-nm DBR-tapered diode lasers with up to 16 W of optical output power
  • In-situ metrology in multiwafer reactors during MOVPE of UV-LED structures (Invited Paper)
  • Operation-induced defect generation in deep-UV (In)AlGaN-based LEDs investigated by electrical and optical spectroscopy


Messe und Konferenz: 11.-13.10.2016 Berlin

micro photonics 2016

Das FBH präsentiert auf der micro photonics Diodenlaser und UV-LEDs – von der Technologie bis zum industrietauglichen Gerät. Besuchen Sie uns auf dem Gemeinschaftsstand Berlin-Brandenburg in Halle 7.2C, Stand 207.

Auf der angeschlossenen Konferenz stellt Martin Maiwald am 13. 10. in seinem Vortrag "Portable Shifted Excitation Raman Difference Spectroscopy (SERDS) – Instrument and Outdoor Experiments" die Leistungsfähigkeit der mobilen SERDS-Technologie im Feldtest vor.

Konferenz: 02.-07.10.2016 Orlando (USA)

International Workshop on Nitride Semiconductors - IWN 2016

Das FBH präsentiert auf der Konferenz die folgenden Beiträge und zwei eingeladene Vorträge:

  • Exploring the Limits of AlGaN‐Based Deep UV LEDs (eingeladener Vortrag)
  • Low Defect Density AlN and AlGaN for deep UV Emitters (eingeladener Vortrag)
  • Influence of Silicon Doping on Defects in MOVPE‐Grown AlN/Sapphire Templates
  • Influence of Inhomogeneous Broadening on the Optical Polarization Properties of m‐Plane, (20‐2‐1) and (20‐21) InGaN Quantum Wells
  • Epitaxial Growth and Characterization of Deep UV AlGaN Devices on Bulk AlN Substrates
  • AlGaN Layers Grown on Patterned Sapphire by HVPE
  • On the Origin of Surface Donors in AlGaN/GaN Metal‐Oxide‐Semiconductor Heterostructures with Al2O3 Gate Dielectric—Correlation of Electrical, Structural, and Chemical Properties
  • Development of Deep UV LEDs for Nitrogen Oxide Sensing
  • Impact of Internal Interfaces on AlGaN Metal‐Semiconductor‐Metal Photodetectors
  • Quantitative Analysis of Threading Dislocations in Si‐Doped Low Resistivity AlGaN Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging
  • Opposing Approaches for Low Threshold in AlGaN‐Based UV‐C Laser—High Internal Quantum Efficiency vs Homogeneity
  • Determination of Polarization Fields in (0001) AlInN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures by Capacitance‐Voltage‐Measurements
  • Smooth and Uniform Al0.8Ga0.2N:Si Superlattice Cladding Layers for Deep UV Laser Diodes
  • Optically Pumped Distributed Feedback Lasers Based on GaN with 10th‐Order Laterally Coupled Surface Gratings
  • Surface‐Related Effects on the Temporal Change in (Al)GaN Photoluminescence Intensity

Konferenz: 03.-07.10.2016, London (UK)

European Microwave Week

Auf der Konferenz präsentiert das FBH neue Forschungsergebnisse:

  • An Efficient W-Band InP DHBT Digital Power Amplifier
  • Balanced G-Band Gm-Boosted Frequency Doublers in Transferred Substrate InP HBT Technology
  • Novel Approach to Trapping Effect Modeling based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
  • GaN Laser Driver Switching 30 A in the Sub-Nanosecond Range
  • Response Time of VSWR Protection for GaN HEMT Based Power Amplifiers
  • A 315 GHz Reflection Type Push-Push Oscillator in InP-DHBT Technology
  • A 100 GHz Fundamental Oscillator with 25% Efficiency Based on Transferred-Substrate InP-DHBT Technology
  • Two-Stage Harmonically Tuned 50 W GaN-HEMT Wideband Power Amplifier
  • Discrete Gate Bias Modulation of a Class-G Modulated RF Power Amplifier
  • A New Modulator for Digital RF Power Amplifiers Utilizing a Wave-Table Approach
  • Synthesis and Design of Suspended Substrate Stripline Filters for Digital Microwave Power Amplifiers

Konferenz: 26.-29.09.2016, Edinburgh (UK)

SPIE Security and Defence 2016

Das FBH präsentiert auf der Konferenz folgenden Vortrag:

  • Microintegrated semiconductor laser modules for optical satellite communication

Konferenz: 19.-22.09.2016, Warschau (Polen)

EMRS Fall Meeting

Das FBH ist mit mehreren Beiträgen zum Symposium Materials for electronics and optoelectronic applications auf der Herbsttagung der European Materials Research Society vertreten:

  • Improving the performance of UVB and UVC LEDs (eingeladener Vortrag)
  • Fundamental aspects in the growth of AlGaN based UV-emitters
  • Separation of contact and active region degradation effects in (InAlGa)N-based UV-B light-emitting diodes
  • Investigation of atomic layer deposited AlN and Al2O3 on sapphire as basis for AlN/sapphire substrates
  • AlGaN layers grown on patterned sapphire by HVPE
  • Growth of Al(Ga)N layers by hydride vapor-phase epitaxy (eingeladener Vortrag)
  • Static and dynamic properties of 600 V normally-off GaN switching-transistors (eingeladener Vortrag)

Konferenz: 19.-22.09.2016, Halle

ESREF 2016

27. European Symposium on Reliability of Electron Devices,  Failure Physics and Analysis
Joachim Würfl leitet die  Session 19C: ein Tutorial zu Reliability & Failure Mechanisms of Wide Bandgap Devices

Konferenz: 12.-15.09.2016, Kobe (Japan)

International semiconductor laser conference

Das FBH ist auf der Konferenz mit mehreren Beiträgen vertreten:

  • P. Crump: Experimental and theoretical studies into the limits to peak power in GaAs-based diode lasers (invited)
  • T. Kaul: Studies of limitations to peak power and efficiency in diode lasers using extreme-double-asymmetric vertical designs
  • K. Paschke: 1180 nm DBR-ridge waveguide lasers with strain compensation layers in the active region for lifetime improvement
  • J. Rieprich: Assessing the Impact of Thermal Barriers on the Thermal Lens Shape in High Power Broad Area Diode Lasers

Paul Crump ist EU-Chair der Konferenz und leitet den Workshop "Power saturation in diode lasers"

Feierstunde: 08.09.2016, ab 15 Uhr, Senftenberg

Feierstunde: Joint Lab des FBH mit der BTU Cottbus-Senftenberg

Feierliche Übergabe der Kooperationsvereinbarung zwischen FBH und BTU Cottbus-Senftenberg für das 'Joint Lab BTU-CS - FBH Microwave'. Gemeinsam sollen neue rauscharme Mikrowellenverstärker und Transistormodelle entwickelt werden.
zum Termin - Interessierte sind herzlich eingeladen

Konferenz: 14.-19.08.2016, Fortaleza (Brasilien)

ICORS 2016

Das FBH ist mit mehreren Beiträgen auf der XXV International Conference on Raman Spectroscopy beteiligt:

  • Extraterrestrial Particles Examined by Shifted Excitation Raman Difference Spectroscopy
  • Handheld Probe for in situ Shifted Excitation Raman Difference Spectroscopy (SERDS) – Device and Performance
  • Dual-wavelength diode lasers with electrically adjustable spectral distance for shifted excitation Raman difference spectroscopy

Martin Maiwald leitet die Session: "MoA - O - 004: Raman Instrumentation & Industrial Applications"
Konferenz Webseite...

Konferenz: 07.-12.08.2016, Nagoya (Japan)


Das FBH ist auf der 18. International Conference on Crystal Growth and Epitaxy mit dem folgenden Beitrag vertreten: Advanced In-situ Monitoring of Nitride-based Epitaxy

Konferenz: 10.-15.07.2016, San Diego (USA)


Das FBH ist auf der International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy mit den folgenden Beiträgen vertreten:

  • MOVPE of UVB-LEDs on Metamorphic Al0.5Ga0.5N:Si
  • The Influence of Template Properties and Quantum Well Thickness on Stimulated Emission from Al0.7Ga0.3N/Al0.8Ga0.2N QuantumWells
  • Advanced In Situ Control for RF Power Electronic Device Epitaxy

Marcus Weyers leitet die Session 1B-1 Epitaxy of Nitrides I

Konferenz: 04.-08.07.2016, Jena

Laser Display and Lighting Conference (LDC)

Auf der LDC 2016 ist das FBH mit den folgenden Beiträgen vertreten:

  • Red-colour coherent laser radiation emitted by a miniaturized master-oscillator power-amplifier
  • Miniaturized 560 nm yellow-green laser modules with more than half a watt

Konferenz: 27.06.-01.07.2016, St. Petersburg

Laser Optics 2016

Das  FBH präsentiert einen eingeladenen Vortrag auf der Laser Optics: "Wavelength stabilized high-power diode lasers – design, manufacturing and applications"

Konferenz: 05.-10.06.2016, San Jose (USA)

CLEO 2016: Laser Science to Photonic Application

Beiträge des FBH auf der diesjährigen CLEO US

  • Compact Mode-Locked Diode Laser System for Precision Frequency Comparisons in Microgravity Experiment
  • High power surface-grating stabilized narrow-stripe broad area lasers with beam parameter product < 2 mm×mrad
  • Optical Frequency Combs for Space Applications

11.06.2016, 17-0 Uhr

Besuchen Sie uns zur Langen Nacht der Wissenschaften

Wir öffnen unsere Labore und zeigen Ihnen die Welt der reiskorngroßen Laser - viele frei zugängliche Angebote und Mitmachexperimente.
Achtung! Alle Führungen nur nach vorheriger Anmeldung im Foyer. Beschränktes Platzangebot - je nach Führung 4 - 10 Plätze.

Wir laden Sie zu spannenden Laborführungen ein:

  • Wo hauchdünne Schichten wachsen – Reinraumführungen für die ganze Familie
  • Fensterführung um den Reinraum (ohne Anmeldung, evt. Wartezeit einplanen)
  • Klein & kraftvoll: Diodenlaser für Lasersysteme zur Materialbearbeitung
  • Scharfe Bilder: Diodenlaser für Display und Unterhaltung
  • Einstein überprüfen: Diodenlaser zur Bestimmung von Naturkonstanten
  • UV-Leuchtdioden & Kleines ganz groß (Rasterelektronenmikroskop)
  • On-Wafer-Messtechnik: Winzige Elektronik-Bauelemente mit Riesenleistung

Sie können bei unseren Mitmachexperimenten dabei sein und selbst Hand anlegen:

  • Mit unseren Auszubildenden und der Laser-AG Mikrotechnologie ausprobieren und dabei den Zukunftsberuf des/der Mikrotechnologen/in kennenlernen
  • Sie können eine Funktion werden und Abstandsmessung mit Lasern testen
  • Feiner als ein Haar: Geheimnisse von winzigen Leistungstransistoren entdecken und Strukturen aus der Mikrotechnologie betrachten
  • Helfen Sie uns, gepanschten Alkohol zu identifizieren
  • Elektrosmog? Unsere Ingenieure messen, ob die Werte Ihres Handys im Grenzbereich liegen

Imbissstand und Musik vor dem Institut mit dem La Bohama Saxophon-Duo

Das vollständige Programm sowie alle Informationen zu Ticketpreisen etc. finden Sie hier

Konferenz: 06.-10.06.2016, Aveiro (Portugal)


Das FBH ist auf der Konferenz mit mehreren Beiträgen vertreten:

  • Combination of Si doping and epitaxial lateral overgrowth for defect reduction in AlN layers
  • Lateral wavelength homogeneity of Al0.47Ga0.53N quantum wells and its relation to the threshold of optically pumped UVC lasers
  • Transparent conductive electrodes of multi‐layer graphene for UV‐C light emitting diodes

Konferenz: 22.-27.05.2016, San Francisco (USA)

International Microwave Symposium

Das FBH  präsentiert auf der Konferenz die folgenden Beiträge:

  • Wideband Tunable GaN HEMT Module Utilizing Thin-Film BST Varactors for E­ciency Optimization
  • A Three-Level Class-G Modulated 1.85 GHz RF Power Amplifer for LTE Applications with over 50% PAE
  • A 330 GHz Active Frequency Quadrupler in InP DHBT Transferred-Substrate Technology
  • Digital Microwave Power Amplifier with Energy Recovery
  • A 200 mW InP DHBT W-band Power Amplifer in Transferred-Substrate Technology with Integrated Diamond Heat Spreader

In die Leitung der Session WE2A: Doherty Amplifi­ers are Alive and Well After 80 Years ist Wolfgang Heinrich eingebunden.
Programm (in Englisch)

Girls'Day am FBH: 28.04.2016 (ausgebucht!)

Klein aber oho

Kleine Halbleiter-Bauelemente wie Laser, Verstärker, Sendebausteine gehören zu unserem Alltag. Sie stecken in jedem Mobiltelefon, in Tablets, in der Supermarktkasse oder sorgen für Sicherheit im Auto. Es gibt jedoch auch ganz spezielle Anwendungen, für die reiskorngroße Laser oder Miniverstärker entwickelt werden: von der Datenübertragung im Weltraum bis zur Medizin (Augenlaser, Zahnmedizin). Unsere Auszubildenden begleiten euch beim Ausflug in diese Mikrowelt. Wir zeigen euch, wie so ein winziger Laser aussieht und die Speziallabore (Reinräume), in denen sie hergestellt werden. Ihr könnt bei praktischen Experimenten wie dem „Laserlabyrinth“ eure Fingerfertigkeit testen und erfahrt nebenbei viel Wissenswertes rund um unsere leistungsstarken Minilaser.

Seid ihr neugierig geworden? Probiert euch aus und fragt unseren Wissenschaftlerinnen, Wissenschaftlern und Mikrotechnologie-Azubis Löcher in den Bauch.

Anmeldung über die Girls' Day Webseite

Konferenz und Workshop: 27.-28.04.2016, Padua (Italien)

Gallium Nitride Marathon

Auf dem Gallium Nitride Marathon und dem angeschlossenen Workshop zu Galliumnitrid-Technologie in Europa  ist das FBH mit mehreren Beiträgen vertreten:

  • Improving dynamic switching properties of GaN based normally-off power switching transistors
  • Deep UV LEDs – The Long Road to Shorter Wavelengths

Konferenz: 3.-7.4.2016, Brüssel (Belgien)

Photonics Europe

Das FBH präsentiert seine Forschungsergebnisse auf der Photonics Europe 

  • Microintegrated semiconductor laser modules for precision quantum  optical experiments in space
  • Compact narrow linewidth diode laser modules for precision quantum optics experiments on board of sounding rockets

Konferenz: 20.-23.03.2016, Graz (Österreich)


Auf der Konferenz zu optischen Sensoren ist das FBH mit dem folgenden Vortrag vertreten:

  • Novel Handheld Optode for Shifted Excitation Raman Difference Spectroscopy

Seite des Veranstalters

Konferenz: 14.-16.03.2016, Bochum

GeMiC 2016

Das FBH ist auf der German Microwave Conference mit mehreren Beiträgen vertreten:

  • Challenges in the Design of Wideband GaN-HEMT based class-G RF-Power Amplifiers
  • Wideband 80 W Balanced Power Amplifier for ISM and LTE-Bands
  • VSWR Protection of Power Amplifiers Using BST Components
  • Reliable GaN HEMT Modeling Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
  • A 56 W Power Amplifier with 2-Level Supply and Load Modulation

Konferenz: 13.-18.02.2016, San Francisco (USA)

FBH auf der Photonics West

Auf der weltweit führenden Fachmesse für Optik und Photonik stellt das FBH seine Forschungsarbeiten vor. Details und das Konferenzprogramm finden Sie auf den Seiten der Veranstalter.

Beiträge des FBH:

  • Comparison of yellow light emitting micro integrated laser modules with different geometries of the crystals for second harmonic generation
  • Compact deep UV laser system at 222.5 nm by single-pass frequency doubling of high-power GaN diode laser emission  
  • 2 nm continuously tunable 488 nm micro-integrated diode-laser-based SHG light source for Raman spectroscopy  
  • High-power operation of coherently coupled tapered laser diodes in an external cavity 
  • 940 nm QCW diode laser bars with 70% efficiency at 1 kW output power at 203 K: analysis of remaining limits and path to higher efficiency and power at 200 K and 300 K  (Invited Paper)
  • Assessing the influence of the vertical design on the lateral beam quality of high-power broad area diode lasers  
  • New class of compact diode pumped sub 10-fs lasers for biomedical applications  
  • MOVPE growth of p-AlGaN super-lattices for UV-C lasers  
  • Advances in AlGaN-based deep UV LED technologies (Invited Paper)
  • Influence of the LED heterostructure and chip package on the lifetime of high power UV-B and UV-C LEDs 
  • Generation of 7 W nanosecond pulses with 670-nm ridge-waveguide lasers  
  • Timing jitter performance of mode-locked external cavity multi-quantum-well semiconductor lasers 
  • Interaction of phase and amplitude shaping in an external cavity semiconductor laser 
  • Pulsed hybrid dual wavelength Y-branch-DFB laser-tapered amplifier system suitable for water vapor detection at 965 nm with 16 W peak power  
  • 5,000 h reliable operation of 785-nm dual-wavelength DBR-RW diode lasers suitable for Raman spectroscopy and SERDS  
  • DBR tapered diode laser at 1030 nm with nearly diffraction-limited narrowband emission and 12.7 W of optical output power  
  • Novel approaches to increasing the brightness of broad area lasers (Invited Paper) 
  • Development of (11-22) semipolar LEDs on GaN templates (Invited Paper)  
  • Master-oscillator power-amplifier in the red spectral range for holographic displays