GaN Power Electronic Devices Lab

GaN-basierte Schalttransistoren für hohe Spannungen ermöglichen effiziente Leistungskonverter mit besonders hoher Leistungsdichte. Wegen des geringen flächenspezifischen Einschaltwiderstands (bei gegebener Sperrspannung) und der geringen für das Schalten nötige Gateladung lassen sich mit lateral aufgebauten GaN-HFETs sehr hohe Konverterschaltfrequenzen erreichen.

Im GaN Power Electronic Devices Lab entwickeln wir

• selbstsperrende laterale GaN-Schalttransistoren bis 650 V
• monolithisch integrierte Halbbrücken
• vertikale GaN-Schalttransistoren bis 1200 V
• laterale AlN-Transistoren bis 1200 V
• hybrid integrierte schnelle schaltende Leistungskerne