GaN Microwave Devices Lab
Die hervorragenden Eigenschaften von AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung. Diese Eigenschaften sind die Voraussetzung für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente wie diskrete Leistungstransistoren und MMICs. Wir bieten zwei Prozessversionen:
- diskrete GaN-Leistungstransistoren für Anwendungen im L- bis C-Band - diese werden u.a.in unseren Mikrowellen-Plasmaquellen verwendet
- GaN-MMICs für das X-Band - diese werden u.a. in unseren digitalen Leistungsverstärkern eingesetzt
Eine dritte Prozessversion für Ka-Band-MMICs entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts GaNSAT.
