GaN Microwave Devices Lab

Die hervorragenden Eigenschaften von AlGaN/GaN-Heterostrukturen ermöglichen Hochgeschwindigkeits-Feldeffektbauelemente mit gleichzeitig hoher Stromtragfähigkeit und Durchbruchspannung. Diese Eigenschaften sind die Voraussetzung für neuartige Mikrowellen-Leistungsbauelemente wie diskrete Leistungstransistoren und MMICs. Wir bieten zwei Prozessversionen:

Eine dritte Prozessversion für Ka-Band-MMICs entwickeln wir derzeit im Rahmen des Europäischen Projekts GaNSAT.

Flip-chip montierten GaN-Leistungstransistor