Produkte im Fokus

ps-Laserquelle
Neuartige Laserquelle liefert ns-Impulse maßgeschneiderter Länge und Folgefrequenz

Kompakte maßgeschneiderte ns-Lichtimpulsquellen

Für Anwendungen, etwa in der Material- und Bioanalytik, Materialbearbeitung, Freiraumkommunikation oder Metrologie, entwickelt das FBH leistungsfähige ns-Laserlichtquellen in einem Butterfly-Modul. In diesem Gehäusetyp wurden weltweit erstmalig gewinngeschaltete 1064 nm DFB-Laserdioden mit Ansteuerelektronik integriert. Durch die Anordnung von ultraschnellen GaN-Hochleistungstransistoren mit zugehöriger Treiberstufe direkt neben dem Laser lassen sich 1 - 10 ns Laserimpulse mit 2 W Ausgangsleistung bei einem maximalen Impulsstrom von 3 A erzeugen. Die Anstiegs- und Abfallzeiten der Impulse sind kleiner 0,5 ns. Mithilfe einer Auskoppeloptik wird die Strahlung kollimiert. Die  spektrale Breite der Laserpulse bei einer Wellenlänge von 1064 nm ist kleiner 0,04 nm. Ein Peltierelement und ein Thermistor regeln die Temperatur im Gehäuse. Durch diesen speziellen Aufbau und das umfassende Schaltungs-Know-how ist eine kompakte Quelle entstanden, mit der sich maßgeschneiderte ns-Impulsfolgen im Bereich von 10 MHz bis zu Einzelimpulsen erzeugen lassen. In das Modul können Diodenlaser beliebiger Wellenlänge montiert werden.

Publikationen:

A. Liero, A. Klehr, S. Schwertfeger, T. Hoffmann, W. Heinrich "Laser Driver Switching 20 A with 2 ns Pulse Width Using GaN" IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., Anaheim, CA, May 25-27, pp. 1110-1113 (2010).

A. Klehr, H. Wenzel, S. Schwertfeger, O. Brox, A. Liero, Th. Hoffmann and G. Erbert "High peak-power nanosecond pulses generated with DFB RW laser" Electron. Lett., vol. 47, no.18, pp. 1039-1040 (2011).

GaN-basierte Mikrowellen-Leistungstransistoren

Die Anwendungen für diskrete GaN-Mikrowellen-Leistungstransistoren für den Frequenzbereich von 1 bis ca. 4 GHz sind weit gefächert. Sie reichen von Kommunikationssystemen bis zur industriellen HF-Erzeugung. Derartige Leistungsbauelemente auf GaN-Basis entwickelt und produziert das FBH für Ausgangsleistungen von 25 W, 50 W und 100 W per Chip. Diese zeichnen sich durch hohe Effizienz und Reproduzierbarkeit aus. Das FBH fertigt die Transistoren auf 4" SiC-Substraten mit epitaktisch abgeschiedenen GaN/AlGaN-Funktionsschichten. Die Produktentwicklung und Vermarktung solcher Mikrowellen-Leistungsbauelemente realisiert das FBH in enger Zusammenarbeit mit seiner Ausgründung BeMiTec AG.

Datenblatt Leistungstransistor