Gemeinsame Pressemitteilung des IKZ und FBH: 05.11.2019

Halbleitermaterial Beta-Galliumoxid bietet beste Voraussetzungen für die Leistungselektronik der nächsten Generation

Das kürzlich gestartete Verbundprojekt "ForMikro-GoNext" des Leibniz-Instituts für Kristallzüchtung (IKZ), des Ferdinand-Braun-Instituts, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), der Universität Bremen sowie der Industriepartner ABB Power Grids Switzerland Ltd. und AIXTRON beschäftigt sich mit Beta-Galliumoxid (β-Ga2O3). Dieses Halbleitermaterial untersuchen die Projektpartner in einer neuen vertikalen Bauelementarchitektur, um dessen herausragende Eigenschaften für Transistoren noch besser nutzen zu können. Das Verbundprojekt wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) mit rund 2 Mio € über 4 Jahre gefördert.
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