HiPoSwitch - GaN-basierte Normally-off Hochleistungs-Schalttransistoren für effiziente Leistungskonverter

Das vom Ferdinand-Braun-Institut koordinierte EU-Projekt HiPoSwitch (2011-2015) beschäftigt sich mit neuartigen Galliumnitrid-basierten Transistoren. Sie sollen bei künftigen Leistungs­konvertersystemen für weniger Volumen und Gewicht bei gleichzeitig höherer Leistungsfähigkeit sorgen. Mit GaN-basierten Bauele­menten können Leistungs­schalter bei deutlich höheren Frequenzen betrieben werden, ohne signifikante Schaltverluste in Kauf nehmen zu müssen.

GaN-Leistungstransistoren auf Wafer
GaN-Leistungstransistoren auf Wafer

Die Transistoren werden auf kostengünstigen Silizium-Substraten aufgebaut und sind daher aus wirtschaftlicher Sicht sehr interessant, da sie längerfristig deutlich bessere technische Eigenschaften mit vergleichsweise günstigen Kosten verbinden. Die Kompetenzen der acht europäischen Projektpartner decken die gesamte Wertschöpfungskette von Forschung und Entwicklung (Ferdinand-Braun-Institut, Slovak Academy of Sciences, TU Wien, Universita degli Studi di Padova) bis hin zur industriellen Verwertung (Aixtron, Artesyn Austria, EpiGaN, Infineon Austria) ab.  

Weitere Informationen unter www.hiposwitch.eu